ИНДИЯ АНТИМОНИД - И́НДИЯ АНТИМОНИ́Д, InSb, монокристаллический полупроводниковый материал, относящийся к классу соединений AIIIBV. Кристаллизуется в решетке типа сфалерита (см. типы кристаллических структур (см. СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ КРИСТАЛЛОВ)).
Антимонид индия не растворяется в воде, хорошо растворяется в кислотах. При растворении антимонида индия в кислотах выделяется токсичный стибин SbH3. Окисление арсенида индия на воздухе начинается при температуре выше 500 оС. При значительных перегревах разлагается с выделением паров сурьмы.
Постоянная решетки при 300К равна 6,480А. Плотность в твердом состоянии = 5,78 г/см3, в жидком состоянии (при температуре плавления) - 6,48 г/см3; температура плавления tпл = 525 оС; равновесное давление паров в точке плавления - 10-4 Па. Коэффициент термического расширения - 5,04.10-6К-1, твердость по минералогической шкале - 3,8, диэлектрическая проницаемость (низкочастотная) - 17,72.
Антимонид индия имеет малую ширину запрещенной зоны - 0,18 эВ и очень высокую подвижность электронов. Энергия ионизации донорных примесей (S, Se,Te) очень мала. Вследствие малой ширины запрещенной зоны электропроводность антимонида индия уже при температурах ниже комнатной становится собственной. Антимонид индия относится к вырожденным полупроводникам. Их особенность - слабая зависимость основных характеристик от температуры.
Промышленным методом выращивания монокристаллов антимонида индия является метод Чохральского (см. Методы выращивания монокристаллов (см. МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ)). Монокристаллы InSb выращивают в направлении диаметром 2 и 3 дюйма. Плотность дислокаций в кристаллах диаметром 2 дюйма ND 1,0.102 см-2.
Антимонид индия применяется для изготовления туннельных диодов: по сравнению с германиевыми диоды из InSb обладают лучшими частотными свойствам при низких температурах. Антимонид индия используют для изготовления фотоэлементов высокой чувствительности, датчиков Холла (см. ХОЛЛА ЭДС ДАТЧИК), оптических фильтров и термоэлектрических генераторов и холодильников.