I ж. разг.
1. уменьш. к сущ. точка I 1.
2. ласк. к сущ. точка I 1.
II ж. разг.
1. уменьш. к сущ. точка II 1.
2. ласк. к сущ. точка II 1., 2.
ТО́ЧЕЧКА, точечки, жен. (разг.). уменьш.-ласк. к точка1.
то́чечка, то́чечки, то́чечек, то́чечке, то́чечкам, то́чечку, то́чечкой, то́чечкою, то́чечками, то́чечках
То́чечная гру́ппа симметри́и (класс симметрии), совокупность всех преобразований симметрии (поворотов, отражений и т. д.), совмещающих данный объект (кристалл, молекула) с самим собой и оставляющих у него при этом хотя бы одну неподвижную точку.
* * *
ТОЧЕЧНАЯ ГРУППА СИММЕТРИИ - ТО́ЧЕЧНАЯ ГРУ́ППА СИММЕТРИ́И (класс симметрии), полное сочетание элементов симметрии кристаллического многогранника.
Преобразования симметрии кристаллографического класса образуют математическую группу. Эта группа называется точечной потому, что симметричные преобразования кристаллического многогранника оставляют на месте по крайней мере одну его точку, в которой пересекаются все элементы симметрии. При этом предполагается, что многогранник не перемещается параллельно самому себе.
Кратность (порядок) точечной группы симметрии определяет максимальное количество эквивалентных точек, которое можно получить из одной точки, преобразуя ее всеми операциями симметрии, входящими в группу. Кратность соответствует числу граней общей простой формы, характеризующей группу. В каждой сингонии есть одна группа высшего порядка - голоэдрия (голоэдрический класс симметрии). Все остальные классы симметрии, мероэдрические, в каждой сингонии являются подгруппами голоэдрического класса. (Группа является подгруппой другой группы, если все элементы симметрии первой группы входят в состав элементов симметрии второй группы и если их множество само образует группу (при одинаковом выборе правил сочетания)).
32 кристаллографические точечные группы симметрии являются подгруппами предельных групп симметрии.
32 точечные группы симметрии (или 32 класса симметрии) исчерпывают все возможные сочетания элементов симметрии кристаллических многогранников.
Международные названия классов симметрии:
Примитивный -: 1, 3, 4, 6, 23;
Центральный - 1, 3, 4/m, 6/m, m3;
Планальный - m, mm2, 3m, 4mm, 6mm, 43m;
Аксиальный - 2, 222, 32, 422, 622, 432;
Планаксиальный - 2/m, mmm, 3m, 4/mmm, 6/mmm, m3m;
Инверсионно-примитивный - 4, 6;
Инверсионно-планальный - 42m, 6m2.
32 точечные группы симметрии делятся на сингонии следующим образом:
К триклинной сингонии относятся классы 1, 1;
К моноклинной - 2, m, 2/m;
К ромбической - 222, mm2, mmm;
К тригональной - 3, 3, 32, 3m, 3m;
К гексагональной - 6, 6, 6/m, 622, 6mm, 6m2, 6/mmm;
К тетрагональной - 4, 4, 4/m, 422, 4mm, 42m; 4/mmm;
К кубической - 23, m3, 432, 43m, m3m.
Распределение кристаллов по классам симметрии неравномерно. Как правило, чем проще структура кристалла, тем выше его симметрия. Почти все металлы кристаллизуются в кубической и гексагональной сингониях. Ионные и полупроводниковые кристаллы преимущественно тоже. Органические вещества кристаллизуются преимущественно в низкосимметричных сингониях.
Наиболее распространенными являются классы: 2/m, m3m, mmm.
Класс m3m охватывает все металлы кубической симметрии: медь, серебро, золото, алюминий, торий, палладий, свинец, g-железо, полупроводники со структурой алмаза, многие полупроводниковые соединения, ионные кристаллы, гранаты, шпинели, квасцы, магнетит, флюорит, сегнетоэлектрики со структурой перовскита;
Класс 43m - полупроводники со структурой сфалерита, уротропин, тетраэдрит;
Класс 2/m - гипс, ортоклаз, тальк, слюды, нафталин, антрацен, бура;
Класс mmm - арагонит, топаз, бензол, уксусная кислота, иод, a-сера;
Класс 222 - сегнетова соль в параэлектрической фазе, антимонит кадмия, бензофенол;
Класс 4/m - бор, вольфрамат кальция (шеелит), молибдат гадолиния и т.д.
Класс 6/mmm - все гексагональные металлы: бериллий, кобальт, магний, тантал, цинк, кадмий, висмут, титан и др., их соединения, графит, тридимит и др.
ТОЧЕЧНАЯ ГРУППА СИММЕТРИИ (класс симметрии) - совокупность всех преобразований симметрии (поворотов, отражений и т. д.), совмещающих данный объект (кристалл, молекула) с самим собой и оставляющих у него при этом хотя бы одну неподвижную точку.
ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ - ТО́ЧЕЧНЫЕ ДЕФЕ́КТЫ, нарушения кристаллической структуры, размеры которых во всех трех измерениях сравнимы с одним или несколькими междуатомными расстояниями. Точечный дефект может иметь простую или сложную структуру.
Виды точечных дефектов
Вакансия (V) - от англ. vacancy - отсутствие атома или иона в узле кристаллической решетки, который в совершенном кристалле должен быть занят атомом (ионом). В веществе сложного состава свободным может оказаться узел, занимаемый разными атомами А или В. Соответственно вакансия обозначается VА, VВ, часто ее обозначают пустым квадратом. Образование вакансий сопровождается упругой релаксацией окружающих атомов. Они сближаются, смещаясь в направлении центра поры, и эффективный радиус поры уменьшается. В алмазоподобных решетках объем вакансий составляет примерно 0,8 от объема атома, а в гранецентрированных - 0,5-0,6.
Междоузельным или внедренным (I) - от англ. interstitial - называют атом или ион, расположенный в межатомной поре (пустоте). Ai означает атом А в междоузлии, Ai2+ - дважды ионизованный атом А в междоузлии.
Вакансии, возникшие за счет ухода атома из узла на поверхность кристалла или какую-либо границу внутри кристалла, называют дефектами Шоттки. В кристаллах элементов (в частности в металлах) ими являются одиночные вакансии, в ионных кристаллах дефект Шоттки это пара из катионной и анионной вакансий. Этот дефект часто встречается в щелочно-галоидных кристаллах. Наличие дефектов Шоттки уменьшает плотность кристалла, поскольку атом, образовавший вакансию, диффундирует на его поверхность.
Дефект Френкеля - вакансия и атом в междоузлии - преобладает в кристаллах типа галоидов серебра. Вакансия и междоузельный атомы перемещаются внутри решетки за счет тепловой энергии. Дефекты Френкеля легко образуются также в кристаллах со структурой алмаза. Эти дефекты не влияют на плотность кристалла. В общем случае в кристалле могут быть и дефекты Френкеля и дефекты Шоттки, причем преобладают те, для образования которых требуется меньшая энергия.
Точечные дефекты, образованные атомами или вакансиями элементов, из которых состоит вещество, называются собственными точечными дефектами. В соединениях помимо вакансий и междоузельных атомов могут образоваться антиструктурные дефекты - взаимные обмены местами атомов элементов, образующих соединение. Такие дефекты встречаются, когда размеры и электроотрицательность атомов А и В близки, и роль ионной составляющей невелика. Антиструктурное разупорядочение наблюдается, например, в теллуриде висмута Bi2Te3. В нелегированном арсениде галлия GaAs могут присутствовать следующие типы собственных точечных дефектов: вакансии мышьяка и галлия - VАs, VGa; междоузельные атомы мышьяка и галлия Asi, Gai; антиструктурные дефекты - атом мышьяка в позиции галлия и атом галлия в позиции мышьяка - AsGa, GaAs. В чисто ионных соединениях антиструктурные дефекты практически не встречаются. Особенностью соединений является также образование твердых растворов вычитания при отклонении состава от стехиометрического (см. СТЕХИОМЕТРИЯ).
Энергия образования вакансии имеет порядок электрон-вольта, а для внедренного атома - несколько электрон-вольт.
Вакансии могут объединяться в дивакансии V2, тривакансии, вакансионные тетраэдры (мультивакансии Vn), могут образовываться пары V-I. Скопления вакансий - кластеры - образуют поры. Междоузельные атомы могут объединяться в гантель, в линейную конфигурацию, в пластины. Все эти дефекты менее устойчивы, чем одиночные, поэтому для них необходима значительно большая энергия образования.
Внедренными могут быть как собственные, так и примесные атомы или ионы, отличающиеся от основных атомов по размеру или валентности. Если инородный атом оказывается в узле, то это дефект замещения, если в междоузлии, то это атом внедрения.
Примеси замещения, заменяя частицы основного вещества в узлах решетки, внедряются в решетку тем легче, чем ближе атомные (ионные) радиусы примесного и основного вещества. Примеси внедрения занимают междоузлия и притом тем легче, чем больше объем пространства между атомами. Так, в плотно упакованных ГЦК-металлах меньшие по размерам примесные атомы В, С, Si, N, O внедряются в тетраэдрические или октаэдрические междоузлия или же вытесняют из узла атом и образуют с ним пару типа гантели. В полупроводниковых кристаллах со структурой типа алмаза или сфалерита атомы примеси легко внедряются в четыре незанятые тетраэдрические пустоты или в пустоту в ГЦК-ячейки. При этом атомы примеси, находящиеся в положении замещения, создают энергетические уровни в запрещенной зоне полупроводника. Атомы примеси, находящиеся в междоузлиях, как правило, не создают этих уровней, но влияют на механические свойства полупроводника. Атомы примеси могут также образовывать комплексы с собственными точечными дефектами. В Ge и Si характерными дефектами являются комплексы вакансия - кислород и вакансия - элемент V группы, называемые в литературе А- и Е-центрами соответственно. В бинарных материалах, очевидно, спектр возможностей для образования комплексов существенно шире: это связанные вакансии в различных подрешетках VAVB , комбинации с антиструктурными дефектами VABA, ABBA и т.д.
Значение точечных дефектов
Атомы примеси присутствуют в кристалле всегда. Получить абсолютно чистое вещество невозможно. Проблема синтеза кристаллов с заданными свойствами зависит в основном от чистоты исходных материалов и от создания таких условий выращивания кристалла, при которых затруднено загрязнение растущего кристалла примесями из окружающей среды. В то же время, вводя примеси, можно по желанию изменять свойства кристалла. Введение заданной концентрации легирующей примеси позволяет получить кристаллы с необходимой концентрацией и типом носителей заряда и строго контролируется.
Зависимость от условий
Вакансии и внедренные атомы существуют в кристаллах любой структуры и при любой температуре. В условиях равновесия в кристалле стехиометрического состава точечные дефекты возникают в результате теплового движения. Концентрация точечных дефектов равна нулю при температуре 0°К и быстро растет с повышением температуры. При этом увеличивается внутренняя энергия кристалла, но одновременно растет и его энтропия из-за увеличения беспорядка в расположении частиц. Для каждой температуры может быть такая концентрация точечных дефектов, при которой затрата энергии на образование точечных дефектов компенсируется приростом энтропии, т. е. сохраняется условие минимума внутренней энергии и кристалл остается в состоянии термодинамического равновесия. Эта равновесная концентрация точечных дефектов зависит от температуры n/Ne-E/(kT, где N - общее число атомов в единице объема, n - число дефектов в том же объеме, E - энергия активации дефекта, равная работе его образования, k - постоянная Больцмана. Таким образом, даже в кристалле, находящемся в состоянии термодинамического равновесия, всегда присутствуют точечные дефекты. В реальных условиях концентрация точечных дефектов всегда превышает равновесную.
Относительные концентрации вакансий и внедренных атомов зависят не только от термодинамического равновесия, но и от условия электронейтральности кристалла. В ионных и полупроводниковых кристаллах точечные дефекты обладают электрическими зарядами: внедренный катион положителен, внедренный анион отрицателен. Вакансия аниона, т. е. отсутствие отрицательного заряда, действует как эффективный положительный заряд. В полупроводниках и диэлектриках роль электрически активных дефектов велика. Они могут быть акцепторами или донорами. Каковы бы ни были соотношения концентрации и типов точечных дефектов, кристалл в целом должен быть электрически нейтрален. Условие электронейтральности обеспечивается образованием равного количества положительно и отрицательно заряженных дефектов, или же образованием сложных дефектов, или же образованием свободных электронов или дырок. В металлах валентные электроны. Легко группируясь или отталкиваясь от электрически активных дефектов, экранируют и нейтрализуют их. Поэтому дефекты акцепторного или донорного типа в металлах не представляют практического интереса.
Точечные дефекты могут двигаться через кристалл, взаимодействовать друг с другом и с другими дефектами. Встречаясь друг с другом, вакансия и междоузельный атом могут аннигилировать.
Точечные дефекты могут образовывать различные нейтральные сочетания. Нейтрализация дефектов решетки с помощью электронов и дырок тем более вероятна, чем больше электронов и дырок в зоне проводимости кристалла, т.е. чем уже запрещенная зона. Дефекты такого типа имеются в полупроводниках.
Точечные дефекты существенно влияют на многие свойства кристаллов. Их состав и состояние определяют электрофизические, оптические, прочностные и другие характеристики материалов.
прил.
1. соотн. с сущ. точка I 1., 2., связанный с ним
2. Состоящий из точек [точка I 1.].
3. Имеющий вид точки [точка I 1.].
отт. Очень небольшого размера.
4. Действующий в направлении отдельных точек [точка I 2.] (о массаже).
5. Направленный на отдельные места; узколокальный.
ТО́ЧЕЧНЫЙ, точечная, точечное (книжн., спец.). прил. к точка (см. точка1 в 1 знач.); в виде точек. Точечное расположение чего-нибудь. Точечный узор. Точечный контур.
ТО́ЧЕЧНЫЙ, -ая, -ое.
1. Состоящий из точек 1 (в 1 знач.). Точечная линия.
2. Имеющий вид точки 1 (в 1 знач.), очень маленький. Точечное кровоизлияние (капиллярное).
3. Направленный на отдельные точки 1 (в 4 знач.). Точечная электросварка. Т. ракетный удар. Т. массаж.
ТО́ЧЕЧНЫЙ -ая, -ое.
1. Состоящий из точек (1.Т.; 1 зн.). Т. узор. Т-ая линия.
2. Спец. В виде точки (1.Т.; 1 зн.), очень небольшого размера. Т. источник света. Т. электрический заряд. Т-ая коррозия. Т-ое вздутие. Т-ое кровоизлияние (капиллярное). Т. дом (высотный односекционный дом).
3. Направленный на отдельные точки поверхности, действующий в определённых точках поверхности. Т-ая электросварка.
-ая, -ое.
1. Состоящий из точек1 (в 1 знач.).
Точечный узор. Точечная линия.
2. спец.
В виде точки, очень небольшого размера.
Точечный источник света. Точечный электрический заряд. Точечная коррозия.
||
Направленный на отдельные точки поверхности, действующий в определенных точках поверхности.
Точечная электросварка. Точечный автостоп.
◊
точечный дом
спец.
высотный односекционный дом.
то́чечный, то́чечная, то́чечное, то́чечные, то́чечного, то́чечной, то́чечных, то́чечному, то́чечным, то́чечную, то́чечною, то́чечными, то́чечном, то́чечен, то́чечна, то́чечно, то́чечны, то́чечнее, пото́чечнее, то́чечней, пото́чечней
прил., кол-во синонимов: 8
девятиточечный (3)
маленький (90)
многоточечный (5)
направленный на отдельные места (1)
одноточечный (1)
семиточечный (1)
четырехточечный (3)