высокообразованный
Толковый словарь
Толковый словарь Ушакова
ВЫСОКООБРАЗО́ВАННЫЙ, высокообразованная, высокообразованное (книжн. газет.). Очень образованный. Человек он высокообразованный и умнейший.
Энциклопедический словарь
ВЫСОКООБРАЗО́ВАННЫЙ -ая, -ое. Очень образованный. В. человек.
Академический словарь
Слитно. Раздельно. Через дефис
Орфографический словарь
высокообразо́ванный; кратк. форма -ан, -анна
Синонимы к слову высокообразованный
см. образованный
Морфемно-орфографический словарь
Полезные сервисы
высокообъёмная нить
Энциклопедический словарь
Высокообъёмная нить - то же, что текстурированная нить.
* * *
ВЫСОКООБЪЕМНАЯ НИТЬ - ВЫСОКООБЪЕМНАЯ НИТЬ, то же, что текстурированная нить (см. ТЕКСТУРИРОВАННАЯ НИТЬ).
Полезные сервисы
высокообъемная нить
Большой энциклопедический словарь
ВЫСОКООБЪЕМНАЯ нить - то же, что текстурированная нить.
Полезные сервисы
высокообъёмный
Орфографический словарь
высокообъёмный; кратк. форма -мен, -мна
Словарь ударений
Морфемно-орфографический словарь
Полезные сервисы
высокоогнеупорный
Орфографический словарь
высокоогнеупо́рный; кратк. форма -рен, -рна
Морфемно-орфографический словарь
Полезные сервисы
высокоодаренность
Синонимы к слову высокоодаренность
сущ., кол-во синонимов: 5
Полезные сервисы
высокоодаренный
Энциклопедический словарь
ВЫСОКООДАШННЫЙ -ая, -ое. Очень одарённый, талантливый. В. художник.
Синонимы к слову высокоодаренный
прил., кол-во синонимов: 6
Полезные сервисы
высокоодарённый
Толковый словарь
Академический словарь
Орфографический словарь
высокоодарённый; кратк. форма -ён, -ённа
Словарь ударений
Формы слов для слова высокоодарённый
высо́коодарённый, высо́коодарённая, высо́коодарённое, высо́коодарённые, высо́коодарённого, высо́коодарённой, высо́коодарённых, высо́коодарённому, высо́коодарённым, высо́коодарённую, высо́коодарённою, высо́коодарёнными, высо́коодарённом, высокоодарён, высокоодарённа, высокоодарённо, высо́коодарённы, высо́коодарённее, повысо́коодарённее, высо́коодарённей, повысо́коодарённей
Морфемно-орфографический словарь
Полезные сервисы
высокооктановый
Орфографический словарь
Словарь ударений
Формы слов для слова высокооктановый
высо́коокта́новый, высо́коокта́новая, высо́коокта́новое, высо́коокта́новые, высо́коокта́нового, высо́коокта́новой, высо́коокта́новых, высо́коокта́новому, высо́коокта́новым, высо́коокта́новую, высо́коокта́новою, высо́коокта́новыми, высо́коокта́новом, высо́коокта́нов, высо́коокта́нова, высо́коокта́ново, высо́коокта́новы, высо́коокта́новее, повысо́коокта́новее, высо́коокта́новей, повысо́коокта́новей
Морфемно-орфографический словарь
Полезные сервисы
высокооплачиваемый
высокоорганизованный
Орфографический словарь
высокоорганизо́ванный; кратк. форма -ан, -ана
Синонимы к слову высокоорганизованный
Морфемно-орфографический словарь
Полезные сервисы
высокоостровский
высокооумиѥ
Словарь древнерусского языка
ВЫСОКООУМИ|Ѥ (19), -˫А с. Высокомерие, гордость, заносчивость:
на высокоѹмиѥ възвышьсѩ. ˫ако же лукаваго къзни и ѹмѹдрени˫а. падениѥ сльзь достоино поринѹсѩ. УСт XII/XIII, 206 об.; начать помышлати избью братию свою и приимѹ власть рѹскѹю ѥдинъ и помысли высокъѹмиѥмь а не вѣдыи ˫ако б҃ъ даѥть власть ѥмуже хощьть Парем 1271, 258 об.; то же ЛЛ 1377, 47 об. (1015); ѿ славы бо чл(в)чьскы ражаѥтьсѩ высокоѹмиѥ. КН 1280, 510б; и приде ми помыслъ высокоѹми˫а. ПрЛ XIII, 125б; и ре(ч) мі за высокоѹмиѥ твое поне же ѹничьжи бра(т) своѥго. ѿстѹпихъ ѿ очию твоѥго. Там же, 125г; силою ст҃ы˫а софь˫а. і помощью ст҃ою бориса і глѣба. твердость та ни во что же бы(с) за высокоѹмье іхъ. зане всѹе трѹдъ ихъ безъ б҃и˫а повелѣни˫а. ЛН ХIII-ХІV, 153 (1301); и людье Черни<го>вци возпиша ко Всеволоду… луче того ѡстанисѩ высокоѹмь˫а своѥго. и проси си мира. ЛЛ 1377, 101 об. (1138); и ѥже ненавистнѣе есть б҃у и мерзъчье. высокоѹмие… мнѩть бо сѩ велиці суще и ст҃и. ПрЮр XIV, 177а; идѹщю же ми в пѹстыню помыслъ приде ми высокоѹмь˫а. шепча ми въ ср҃дце (ὑψηλοφροσύνης) ПНЧ XIV, 89а; непокорьства. дерзости. мерзости зависти… лукавьство. ѡслушаниѥ. высокоѹмиѥ. лѣность и ѥлико симъ подобна. (ὑψηλοφρονεῖ) ФСт XIV, 69а; и д҃ша. в нею же правда и грѣхъ… правда ѹбо высокоѹмьемъ низыдаеть. и грѣх же смѣреньемъ потреблѩетсѩ. СбТр к. XIV, 1; и бранѩше ѹбо семеонъ сн҃мъ своимъ. ѿ зависти имъ ѹклонитисѩ и высокоѹмь˫а. но не може ѹбранити Пал 1406, 101г; лѹче того ѡстанисѩ высокоѹмь˫а своего. и проси си мира. ЛИ ок. 1425, 112 (1139); Андрѣи же приимъ свѣтъ ихъ. исполнивъсѩ высокоѹмь˫а. разгордѣвъсѩ велми. надѣ˫асѩ плотнои силѣ. Там же, 203 (1174).
Полезные сервисы
высокооумити
Словарь древнерусского языка
ВЫСОКООУМ|ИТИ (2*), -ЛЮ, ИТЬ гл. То же, что высокомыслити:
поставленъ же бывъ нарѡдникъ. нача во ѹмѣ личитисѩ. [вм. кичитисѩ] и высокоимѣти. [вм. высокоѹмити] и предъставъ анг҃лъ г(с)нь гл҃ѩ. что величаѥшисѩ оканьне. МПр XIV, 61 об.; поставленъ же бывъ прежереченыи народникъ. начатъ во ѹмѣ кычитисѩ и высокоѹмити. и предъставъ анг҃лъ г(с)нь гл҃а. что величаеши(с) оканьне. (μεγαφρονεῖν) ПНЧ XIV, 112а.
Полезные сервисы
высокооумьныи
Словарь древнерусского языка
ВЫСОКООУМЬНЫИ (2*) пр. Высокомерный, заносчивый. В роли с.:
подобна˫а подобнымъ въздаютсѩ. и ки(х)ждо поревнують. тии вѣнца приимуть… || …˫ако же и паки невѣрныи невѣрному. высокоѹмныи высокоѹмному… лукавыи лукавому. отметникъ отметьнику (ὑψηλόφρων ὑψηλόφρονος) ФСт XIV, 226б-в.
Полезные сервисы
высокооцененный
поликристаллические полупроводники
Энциклопедический словарь
ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ - ПОЛИКРИСТАЛЛИ́ЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ́, полупроводниковые вещества в поликристаллическом состоянии. Представляют большой практический интерес, так как получение полупроводника в виде поликристаллического слитка или пленки технологически более простой и производительный процесс, удешевляющий полупроводниковые материалы и изготавливаемые на их основе приборы.
Поликристаллические полупроводники являются исходным сырьем для выращивания монокристаллов. Основной проблемой при получении поликристаллических полупроводников является достижение максимальной чистоты, определяемой минимальными концентрациями неконтролируемых примесей или разностной концентрацией основных носителей заряда в сочетании с минимальной степенью компенсации. В отдельных случаях в полупроводниках лимитируют содержание некоторых примесей (кремния в полупроводниковых соединениях, кислорода и углерода в элементарных полупроводниках).
Поликристаллические полупроводниковые материалы имеют большие потенциальные возможности применения в микроэлектронике и производстве дешевых тонкопленочных солнечных батарей. Прогресс технологий получения поликристаллических пленок уже позволил предложить много новых устройств: резисторов (см. РЕЗИСТОР), диодов (см. ДИОД), биполярных и MOS-транзисторов (см. ТРАНЗИСТОР). Потенциальная полезность поликристаллических полупроводников зависит от кристаллического совершенства зерен и электронных свойств их границ.
Распространенными методами получения поликристаллических пленок полупроводниковых соединений являются процессы вакуумного и плазменного напыления. Поликристаллические слои GaAs и других соединений AIIIBVполучают методом МОС-гидридной технологии, обеспечивающей низкие температуры наращивания, воспроизводимость размеров зерна и высокую однородность пленок по толщине. Пленки можно наращивать на металлические, графитовые, алундовые подложки и подложки из кварцевого стекла. Для получения поликристаллических слоев кремния обычно используют традиционные методы кристаллизации из газовой фазы с применением в качестве летучих кремнийсодержащих веществ моносилана, дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорсилана.
Одной из важнейших характеристик поликристаллических пленок является размер зерна. Размер зерна зависит от температуры осаждения, состава газовой фазы, скорости кристаллизации и типа используемой подложки. При прочих равных условиях размер зерна зависит от природы вводимой легирующей примеси. Поликристаллические слои, получаемые при кристаллизации из газовой фазы, обычно текстурированы, причем степень их текстурирования возрастает с повышением температуры осаждения. Для управления размером зерна и текстурой поликристаллических пленок используют процесс твердотельной рекристаллизации. Для рекристаллизации тонких слоев применяют нагрев лазерным или электронным лучом, а также нагрев с помощью специальных ленточных нагревателей сопротивления. Поликристаллические пленки с контролируемым размером зерна и текстурой могут быть получены путем перекристаллизации аморфных и мелкокристаллических слоев, осажденных на аморфных подложках, на поверхность которых с помощью травления наносится специальный рельеф, например, в виде микронных размеров треугольной или квадратной сетки (графоэпитаксия),
Для получения необходимых электрических свойств поликристаллические полупроводники легируют. Наиболее распространенные методы легирования - легирование из газовой фазы в процессе получения слоев и ионная имплантация. При диффузионной технологии изготовления приборов на основе поликристаллического кремния в качестве источников используют низкоомные сильно легированные традиционными примесями поликристаллические слои кремния. Такая технология позволяет существенно повысить воспроизводимость по толщине и свойствам диффузионно-легированных слоев и применяется при создании эмиттеров в микроволновых транзисторах и затворов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник.
Границы зерен являются основными структурными дефектами в поликристаллических слоях и оказывают существенное влияние на формирование электрофизических свойств таких материалов. Время жизни и подвижность носителей заряда зависят от размера зерен. Границы зерен в полупроводниках обладают специфическими электрическими и рекомбинационными свойствами, которые реализуются в ряде приборных применений. Наличие примесей и дефектов на межзеренных границах приводит к возникновению на них несбалансированного электрического заряда. При этом проводимость поликристаллического образца в целом может меняться на много порядков. Межзеренные границы, в общем случае, двояким образом влияют на электронные свойства материала. Во-первых, потенциальные барьеры, создаваемые межзеренными границами, существенно уменьшают подвижности основных носителей заряда, что приводит к увеличению эффективного удельного сопротивления полупроводника. Это нежелательно для многих практических применений не только из-за повышенных удельных сопротивлений, но и из-за трудностей получения образцов с воспроизводимым удельным сопротивлением. Во-вторых, межзеренные границы - это оборванные связи, которые могут являться ловушками носителей, притягивать к себе примеси или собственные дефекты. Эти состояния губят подвижности и времена жизни неосновных носителей заряда. В то же время граница зерен, являясь серьезным нарушением совершенства кристаллической решетки, играет роль эффективного внутреннего геттера, способствующего очистке основного объема материала от остаточных примесей и собственных точечных дефектов.
Наиболее широкое применение в полупроводниковом приборостроении находят поликристаллические слои кремния. Эти слои используют для таких элементов интегральных схем, как резисторы, диоды, полевые и биполярные транзисторы. Высокоомные поликристаллические слои кремния используют для изоляции активных элементов интегральных схем. Поликристаллические тонкие пленки также перспективны для солнечной энергетики. Слои из поликристаллических полупроводниковых материалов применяются при создании солнечных батарей наземного применения. Если размер зерна существенно превышает величину диффузионной длины носителей заряда, то границы зерен не должны оказывать большого влияния на процессы рекомбинации в материале и рабочие характеристики фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Для кремния, который является непрямозонным полупроводником, толщина слоя поглощения солнечного излучения составляет 50-100 мкм, это условие выполняется при размере отдельных кристаллитов. В прямозонных полупроводниках типа GaAs и Cu2S толщина слоя поглощения составляет единицы микрометров, а соответствующий критический размер зерна не превышает нескольких десятков микрометров. Чрезвычайно высока способность к поглощению солнечного излучения у диселенида меди и индия (CuInSe2) - 99 % света поглощается в первом микроне этого материала (ширина запрещенной зоны - 1,0 эВ). Наиболее распространенным материалом для изготовления окна солнечной батареи на основе CuInSe2 является CdS. Теллурид кадмия (CdTe) - еще один перспективный материал для фотовольтаики. У него почти идеальная ширина запрещенной зоны (см. ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА) (1,44 эВ) и очень высокая способность к поглощению излучения. Пленки CdTe достаточно дешевы в изготовлении. Кроме того, технологически несложно получать разнообразные сплавы CdTe c Zn, Hg с другими элементами для создания слоев с заданными свойствами.
Поликристаллические пленки PbS, PbTe, PbSе применяются для создания эффективных детекторов ИК-излучения. На основе поликристаллических пленочных гетероструктур в системах Cu2S/CdS, Cu2S/Zn1-xCdxS, CuInSe2/CdS создаются преобразователи солнечной энергии. Тонкие поликристаллические пленки металлооксидных полупроводников на основе SnO2, ZnO и др. широко применяются в качестве газочувствительных слоев в твердотельных датчиках газов.