сущ., кол-во синонимов: 1
объектив (32)
Плана́рии - отряд ресничных червей. Длина до 60 (обычно до 35) см. Распространены широко. Свободноживущие. В пресных водах (в оз. Байкал свыше 30 эндемичных видов), реже в морях и в почве (в тропиках). Лабораторные животные (способны к образованию простейших условных рефлексов).
* * *
ПЛАНАРИИ - ПЛАНА́РИИ, то же, что ресничные черви (см. РЕСНИЧНЫЕ ЧЕРВИ) .
ПЛАНАРИИ - отряд ресничных червей. Длина до 60 (обычно до 35) см. Распространены широко. Свободноживущие. В пресных водах (в оз. Байкал св. 30 эндемичных видов), реже в морях и в почве (в тропиках). Лабораторные животные (способны к образованию простейших условных рефлексов).
Плана́рная техноло́гия (от англ. planar - плоский), высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основные операции планарной технологии: создание тонкой диэлектрической плёнки на поверхности кристаллического полупроводника (Si, Ge, GaAs); удаление способом фотолитографии или электронолитографии определённых участков этой плёнки; введение в кристалл через не защищённые плёнкой участки донорных или акцепторных примесей (легирование). В результате этих операций в кристалле образуются области с электронно-дырочными переходами.
* * *
ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ - ПЛАНА́РНАЯ ТЕХНОЛО́ГИЯ (от англ. planar - плоский), высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основные операции планарной технологии: создание тонкой диэлектрической пленки на поверхности кристаллического полупроводника (Si, Ge, GaAs); удаление способом фотолитографии или электронолитографии определенных участков этой пленки; введение в кристалл через незащищенные пленкой участки донорных или акцепторных примесей (легирование). В результате этих операций в кристалле образуются области с электронно-дырочными переходами.
ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ (от англ. planar - плоский) - высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основные операции планарной технологии: создание тонкой диэлектрической пленки на поверхности кристаллического полупроводника (Si, Ge, GaAs); удаление способом фотолитографии или электронолитографии определенных участков этой пленки; введение в кристалл через незащищенные пленкой участки донорных или акцепторных примесей (легирование). В результате этих операций в кристалле образуются области с электронно-дырочными переходами.