Первая часть сложных слов-терминов, вносящая значение: имеющий отношение к использованию свойств электронов, основанный на их свойствах (электро́нно-акусти́ческий, электро́нно-измери́тельный и т.п.).
электронно-акустический
Слитно. Раздельно. Через дефис
Орфографический словарь
Синонимы к слову электронно-акустический
Морфемно-орфографический словарь
Полезные сервисы
электронно-вычислительный
Толковый словарь
прил.
Изготовленный с применением электроники [электроника 2.] и предназначенный для сложных вычислений и обработки математическими методами больших объёмов данных.
Толковый словарь Ожегова
ЭЛЕКТРО́ННО-ВЫЧИСЛИ́ТЕЛЬНЫЙ, -ая, -ое: электронно-вычислительная машина (ЭВМ) Ч электронная, вычислительная машина, предназначенная для обработки информации и преобразующая её из величин в виде набора цифр (чисел). ЭВМ первого, второго поколения. Работать на ЭВМ.
Орфографический словарь
Словарь ударений
Синонимы к слову электронно-вычислительный
Морфемно-орфографический словарь
Полезные сервисы
электронно-дырочный переход
Энциклопедический словарь
Электро́нно-ды́рочный перехо́д - то же, что р - n-переход.
* * *
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД - ЭЛЕКТРО́ННО-ДЫ́РОЧНЫЙ ПЕРЕХО́Д (p-n-переход, n-p-переход), переходная область полупроводника (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ), в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p .Электронно-дырочный переход является основой широкого класса твердотельных приборов для нелинейного преобразования электрических сигналов в различных устройствах электронной техники.
В состоянии равновесия уровень Ферми (см. ФЕРМИ УРОВЕНЬ) в n- и p-областях выравнивается. Происходит это в результате следующих процессов. На представленной схеме изображен полупроводниковый монокристалл, (например, германий или кремний), правая часть которого легирована донорной примесью и обладает n-типом проводимости, а левая часть монокристалла легирована акцепторной примесью и является полупроводником p-типа проводимости. В общем случае концентрация доноров и акцепторов может быть неодинакова.
Так как концентрация электронов в правой части кристалла (в донорной области) выше, электроны проводимости будут диффундировать в левую часть кристалла через границу раздела и рекомбинировать с дырками. Дырки будут диффундировать в противоположном направлении. В результате в приконтактной области донорного полупроводника практически не остается свободных электронов, и в ней формируется объемный положительный заряд неподвижных ионизированных доноров. Ионизированные акцепторы создают область отрицательного пространственного заряда в акцепторном полупроводнике. Взаимная диффузия электронов и дырок продолжается до тех пор, пока электрическое поле, которое возникает от заряда неподвижных доноров и акцепторов, не остановит диффузионный ток, и в полупроводнике появится потенциальный барьер UD, препятствующий самопроизвольному току в кристалле. Этот потенциал играет роль контактной разности потенциалов. Это же поле выталкивает неосновные носители, перебрасываемые из одной области в другую, и в условиях теплового равновесия при отсутствии внешнего электрического напряжения, полный ток через электронно-дырочный переход равен нулю.
Таким образом, в электронно-дырочном переходе существует динамическое равновесие, при котором небольшой ток, создаваемый неосновными носителями (электронами в р-области и дырками в n-области), течет к p-n-переходу и проходит через него под действием контактного поля. Равный по величине ток, создаваемый диффузией основных носителей (электронами в n-области и дырками в р-области), протекает через переход в обратном направлении. При этом основным носителям приходится преодолевать контактное поле (потенциальный барьер). Разность потенциалов, возникающая между p- и n-областями из-за наличия контактного поля (контактная разность потенциалов или высота потенциального барьера), обычно составляет десятые доли вольта.
Область перехода между p- и n-частями кристалла будет иметь толщину L, которую можно разбить на две составляющие Lp и Ln, расположенные, соответственно, в p- и n-областях кристалла. Расчеты показывают, что: Ln/Lp = (Na/Nd)12, где Na и Nd - концентрации акцепторов и доноров, соответственно. То есть p-n- переход располагается преимущественно в наименее легированной области. Если концентрации доноров и акцепторов равны, то переход будет симметричным, если концентрации не равны, то - несимметричным.
По характеру распределения примесей p-n- переходы подразделяют на резкие и плавные. В случае резкого перехода потенциал UD простирается на малую длину, в случае плавного перехода - на значительную. Как правило, плавные p-n- переходы получают методом диффузионной технологии, когда осуществляется диффузия акцепторной примеси в донорный полупроводник и наоборот. Диффузия может происходить из газовой, жидкой или твердой фазы. Так как концентрация легирующей примеси при диффузии уменьшается вглубь образца постепенно, образуется плавный p-n- переход, границей которого и будет граница областей кристалла с электронным или дырочным типом проводимости. Резкий p-n- переход можно получить методами эпитаксии и ионной имплантации.
p-n- переходы, в которых по обе стороны перехода находятся полупроводники с различной шириной запрещенной зоны, например, германий - арсенид галлия, арсенид галлия - фосфид индия и т. д., называются гетеропереходами (см. ГЕТЕРОПЕРЕХОД).
Внешнее электрическое поле изменяет высоту потенциального барьера и нарушает равновесие потоков носителей тока через него. Если напряжение источника питания приложено таким образом, что плюс подсоединен к p-области кристалла, а минус - к n-области, то такое направление называется пропускным. В этом случае внешнее поле направлено против контактного, то есть потенциальный барьер понижается (прямое смещение). С ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей, способных преодолеть потенциальный барьер. Концентрация неосновных носителей по обе стороны электронно-дырочного перехода увеличивается за счет инжекции неосновных носителей, одновременно в р- и n-области через контакты входят равные количества основных носителей, вызывающих нейтрализацию зарядов инжектированных носителей. В результате возрастает скорость рекомбинации и появляется отличный от нуля ток через электронно-дырочный переход. При повышении приложенного напряжения этот ток экспоненциально возрастает.
При обратной полярности (обратном смещении), когда положительный полюс источника питания подключен к n-области, а отрицательный - к р-области, потенциал в области перехода становится равным UD + U, где U - величина приложенного напряжения.
Повышение потенциального барьера приводит к тому, диффузия основных носителей через p-n-переход становится пренебрежимо малой. В то же время потоки неосновных носителей через переход не изменяются, поскольку для них барьера не существует. Потоки неосновных носителей определяются скоростью тепловой генерации электронно-дырочных пар. Эти пары диффундируют к барьеру и разделяются его полем, в результате чего через p-n-переход течет ток насыщения, который обычно мал и почти не зависит от приложенного напряжения.
Таким образом, зависимость тока через p-n-переход от приложенного напряжения U (вольтамперная характеристика) обладает резко выраженной нелинейностью. При изменении знака напряжения ток через p-n-переход может меняться в 105-106 раз. Благодаря этому p-n-переход является вентильным устройством, пригодным для выпрямления переменных токов (см. Полупроводниковый диод (см. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД)).
Характер вольт-амперной характеристики - кривизна восходящей ветви, напряжение отсечки, абсолютные значения токов, коэффициент выпрямления (отношение прямого и обратного токов при напряжении 1 В), и другие параметры определяются видом полупроводника, концентрацией и типом распределения примесей вблизи n-p-перехода.
Изменение напряжения, приложенного к p-n-переходу, приводит к расширению или уменьшению области пространственного заряда. Объемные заряды представляют собой неподвижные и связанные с кристаллической решеткой ионы доноров и акцепторов, поэтому увеличение объемного заряда может быть обусловлено только расширением его области и, следовательно, уменьшением емкости p-n-перехода. При прямом смещении к емкости слоя объемного заряда, которая называется также зарядной или барьерной екостью, добавляется диффузионная емкость, обусловленная тем, что увеличение напряжения на p-n- переход приводит к увеличению концентрации неосновных носителей, то есть к изменению заряда. Зависимость емкости от приложенного напряжения позволяет использовать p-n-переход как электрический конденсатор переменной емкости - варикап (см. ВАРИКАП).
Зависимость сопротивления p-n-перехода от величины и знака приложенного напряжения позволяет использовать его в качестве регулируемого сопротивления - варистора (см. ВАРИСТОР).
При подаче на электронно-дырочный переход достаточно высокого обратного смещения U = Uпр возникает электрический пробой, при котором протекает большой обратный ток. Состояние, при котором происходит электрический пробой p-n- перехода, является нормальным режимом работы некоторых полупроводниковых приборов, например, стабилотронов (см. СТАБИЛОТРОН).
В зависимости от физических процессов, обуславливающих резкое возрастание обратного тока, различают три основных механизма пробоя p-n-перехода: туннельный, лавинный, тепловой.
Туннельный (зинеровский) пробой, возникает при туннелировании носителей сквозь барьер (см. Туннельный эффект (см. ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ)), когда происходит, например, туннельное просачивание электронов из валентной зоны p-области в зону проводимости n-области полупроводника. Туннелирование электронов происходит в том месте p-n-перехода, в котором в результате его неоднородности возникает наиболее высокая напряженность поля. Напряжение туннельного пробоя p-n-перехода зависит не только от концентрации легирующей примеси и критической напряженности поля, при которой происходит возрастание туннельного тока через p-n-переход, но и от толщины p-n- перехода. С увеличение толщины p-n-перехода вероятность туннельного просачивания электронов уменьшается, и более вероятным становится лавинный пробой.
При лавинном пробое p-n-перехода на длине свободного пробега в области объемного заряда носитель заряда приобретает энергию, достаточную для ионизации кристаллической решетки, то есть в его основе лежит ударная ионизация. С ростом напряженности электрического поля интенсивность ударной ионизации сильно увеличивается и процесс размножения свободных носителей заряда (электронов и дырок) приобретает лавинный характер. В результате ток в p-n- переходе неограниченно возрастает до теплового пробоя.
Тепловой пробой, связанный с недостаточностью теплоотвода, как правило, локализуется в отдельных областях, где наблюдается неоднородность структуры p-n-перехода, а, следовательно, и неоднородность протекающего через него обратного тока. Повышение температуры вызывает дальнейшее увеличение обратного тока, что в свою очередь, вызывает увеличение температуры. Тепловой пробой - необратимый процесс, преобладающий в полупроводниках с относительно узкой запрещенной зоной (см. ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА).
В p-n-переходах может также наблюдаться поверхностный пробой. Напряжение поверхностного пробоя определяется величиной заряда, локализованного на поверхности полупроводника в месте выхода p-n-перехода наружу. По своей природе поверхностный пробой может быть туннельным, лавинным или тепловым.
Помимо использования нелинейности вольтамперной характеристики и зависимости емкости от напряжения, p-n- переходы находят многообразные применения, основанные на зависимости контактной разности потенциалов и тока насыщения от концентрации неосновных носителей. Концентрация неосновных носителей существенно изменяется при различных внешних воздействиях - тепловых, механических, оптических и др. На этом основан принцип работы различного рода датчиков: температуры, давления, ионизирующих излучений и т. д. p-n-переходы используются также для преобразования световой энергии в электрическую в солнечных батареях.
Электронно-дырочные переходы являются не только основой разного рода полупроводниковых диодов, но также входят в качестве составных элементов в более сложные полупроводниковые приборы - транзисторы (см. ТРАНЗИСТОР), тиристоры (см. ТИРИСТОР) и т. д. Инжекция и последующая рекомбинация неосновных носителей в p-n-переходах используются в светоизлучающих диодах и инжекционных лазерах.
Большой энциклопедический словарь
Иллюстрированный энциклопедический словарь
Электронно-дырочный переход (схема): чёрные точки - электроны; светлые - дырки (x - координата).
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД (переход p-n), переходная область между двумя частями одного кристалла полупроводника, одна из которых имеет электронную проводимость (n), а другая - дырочную (p). В области электронно-дырочного перехода возникает электрическое поле, которое препятствует переходу электронов из n- в p-область, а дырок - в обратном направлении, что обеспечивает выпрямляющие свойства электронно-дырочного перехода. Является основой многих полупроводниковых приборов.
Полезные сервисы
электронно-е
электронно-ионный
Слитно. Раздельно. Через дефис
Орфографический словарь
Синонимы к слову электронно-ионный
Морфемно-орфографический словарь
Полезные сервисы
электронно-лучевая плавка
Энциклопедический словарь
Электро́нно-лучева́я пла́вка - рафинирующий переплав тугоплавких металлов или высоколегированных сталей в электронно-лучевых печах. Электронно-лучевая плавка обеспечивает высокую чистоту переплавленного материала (например, содержание газов в металле снижается в сотни раз) и однородность его структуры.
* * *
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ПЛАВКА - ЭЛЕКТРО́ННО-ЛУЧЕВА́Я ПЛА́ВКА, рафинирующий переплав тугоплавких металлов или высоколегированных сталей в эектронно-лучевых печах. Электронно-лучевая плавка обеспечивает высокую чистоту переплавленного материала (напр., содержание газов в металле снижается в сотни раз) и однородность его структуры.
Большой энциклопедический словарь
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ плавка - рафинирующий переплав тугоплавких металлов или высоколегированных сталей в эектронно-лучевых печах. Электронно-лучевая плавка обеспечивает высокую чистоту переплавленного материала (напр., содержание газов в металле снижается в сотни раз) и однородность его структуры.
Полезные сервисы
электронно-лучевая сварка
Энциклопедический словарь
Электро́нно-лучева́я сва́рка - сварка расплавлением материалов в месте их соединения пучком электронов с энергией до 100 кэВ. Выполняется в вакууме. Применяется для прецизионной сварки, сварки изделий из особо чистых, разнородных или тугоплавких металлов (например, в микроэлектронике).
* * *
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ СВАРКА - ЭЛЕКТРО́ННО-ЛУЧЕВА́Я СВА́РКА, сварка расплавлением материалов в месте их соединения пучком электронов с энергией до 100 кэВ. Выполняется в вакууме. Применяется для прецизионной сварки, сварки изделий из особо чистых, разнородных или тугоплавких металлов (напр., в микроэлектронике).
Большой энциклопедический словарь
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ сварка - сварка расплавлением материалов в месте их соединения пучком электронов с энергией до 100 кэВ. Выполняется в вакууме. Применяется для прецизионной сварки, сварки изделий из особо чистых, разнородных или тугоплавких металлов (напр., в микроэлектронике).
Полезные сервисы
электронно-лучевая техника
электронно-лучевая технология
Энциклопедический словарь
Электро́нно-лучева́я техноло́гия - технологические процессы обработки материалов электронным лучом с высокой (электро́нно-лучева́я техноло́гия1013 Вт/м2) плотностью энергии для получения микроотверстий, прецизионной сварки, упрочнения материалов и др.
* * *
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ - ЭЛЕКТРО́ННО-ЛУЧЕВА́Я ТЕХНОЛО́ГИЯ, технологические процессы обработки материалов электронным лучом высокой (ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ1013 Вт/м2) плотности энергии для получения микроотверстий, прецизионной сварки, упрочнения материалов и др.
Большой энциклопедический словарь
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ - технологические процессы обработки материалов электронным лучом высокой (~1013 Вт/м²) плотности энергии для получения микроотверстий, прецизионной сварки, упрочнения материалов и др.
Полезные сервисы
электронно-лучевая трубка
Энциклопедический словарь
Электро́нно-лучева́я тру́бка - устаревшее название ряда электронно-лучевых приборов для преобразования электрических сигналов, например, в видимые изображения (осциллографические, индикаторные электронно-лучевые трубки, кинескопы и др.), оптических изображений в электрические сигналы (телевизионные передающие трубки).
* * *
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ТРУБКА - ЭЛЕКТРО́ННО-ЛУЧЕВА́Я ТРУ́БКА, устаревшее название ряда электронно-лучевых приборов для преобразования электрических сигналов, напр., в видимые изображения (осциллографические, индикаторные электронно-лучевые трубки, кинескопы и др.), оптических изображений в электрические сигналы (телевизионные передающие трубки).
Большой энциклопедический словарь
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ТРУБКА - устаревшее название ряда электронно-лучевых приборов для преобразования электрических сигналов, напр., в видимые изображения (осциллографические, индикаторные электронно-лучевые трубки, кинескопы и др.), оптических изображений в электрические сигналы (телевизионные передающие трубки).
Полезные сервисы
электронно-лучевой
Слитно. Раздельно. Через дефис
Орфографический словарь
Словарь ударений
Формы слов для слова электронно-лучевой
электро́нно-лучево́й, электро́нно-лучева́я, электро́нно-лучево́е, электро́нно-лучевы́е, электро́нно-лучево́го, электро́нно-лучевы́х, электро́нно-лучево́му, электро́нно-лучевы́м, электро́нно-лучеву́ю, электро́нно-лучево́ю, электро́нно-лучевы́ми, электро́нно-лучево́м, электронно-лучева́, электронно-лучево́, электронно-лучевы́, электронно-лучеве́е, поэлектронно-лучеве́е, электронно-лучеве́й, поэлектронно-лучеве́й
Синонимы к слову электронно-лучевой
Морфемно-орфографический словарь
Полезные сервисы
электронно-лучевой прибор
Энциклопедический словарь
Электро́нно-лучево́й прибо́р - вакуумный электронный прибор, в котором используется управляемый поток электронов, сконцентрированных в узкий пучок (электронный луч). Основные элементы электронно-лучевого прибора: электронная пушка; электроды, управляющие положением или интенсивностью луча; мишень (например, люминесцентный экран). На основе взаимодействия электронного луча с мишенью осуществляют различного рода преобразования электрических или световых сигналов. В зависимости от назначения электронно-лучевые приборы подразделяются на приёмные, предназначенные для отображения информации (электрических сигналов) в форме, удобной для визуального восприятия (кинескоп, осциллографические электронно-лучевые приборы и др.), и передающие (телевизионные передающие трубки), служащие для преобразования светового изображения в видеосигналы (суперортикон, видикон, диссектор и др.).
* * *
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПРИБОР - ЭЛЕКТРО́ННО-ЛУЧЕВО́Й ПРИБО́Р, вакуумный электронный прибор, в котором используется управляемый поток электронов, сконцентрированных в узкий пучок (электронный луч). Основные элементы электронно-лучевого прибора: электронная пушка; электроды, управляющие положением или интенсивностью луча; мишень (напр., люминесцентный экран). На основе взаимодействия электронного луча с мишенью осуществляют различного рода преобразования электрических или световых сигналов. В зависимости от назначения электронно-лучевые приборы подразделяются на приемные, предназначенные для отображения информации (электрических сигналов) в форме, удобной для визуального восприятия (кинескоп, осциллографический электронно-лучевой прибор и др.), и передающие (телевизионные передающие трубки), служащие для преобразования светового изображения в видеосигналы (суперортикон, видикон, диссектор и др.).
Большой энциклопедический словарь
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПРИБОР - вакуумный электронный прибор, в котором используется управляемый поток электронов, сконцентрированных в узкий пучок (электронный луч). Основные элементы электронно-лучевого прибора: электронная пушка; электроды, управляющие положением или интенсивностью луча; мишень (напр., люминесцентный экран). На основе взаимодействия электронного луча с мишенью осуществляют различного рода преобразования электрических или световых сигналов. В зависимости от назначения электронно-лучевые приборы подразделяются на приемные, предназначенные для отображения информации (электрических сигналов) в форме, удобной для визуального восприятия (кинескоп, осциллографический электронно-лучевой прибор и др.), и передающие (телевизионные передающие трубки), служащие для преобразования светового изображения в видеосигналы (суперортикон, видикон, диссектор и др.).
Иллюстрированный энциклопедический словарь
Электронно-лучевой прибор (схема): 1 - электронный пучок; 2 - электронный прожектор, формирующий электронный пучок; 3 - отклоняющие пластины; 4 - мишень (экран); 5 - вакуумно-плотный баллон; К - катод (источник электронов); М - управляющий электрод (модулятор).
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПРИБОР (ЭЛП), электровакуумный прибор, в котором с помощью управляемого потока электронов, сфокусированного в узкий пучок (электронный луч), осуществляются различного рода преобразования электрических или световых сигналов. Наибольшее распространение получили ЭЛП, преобразующие электрические сигналы в видимое изображение (кинескоп, осциллографический и индикаторный ЭЛП), и наоборот - световое изображение в последовательность электрических сигналов (передающая телевизионная трубка). Первые ЭЛП (осциллографические, кинескопы и передающие телевизионные трубки) созданы в начале 30-х гг. 20 в.
Полезные сервисы
электронно-механические часы
Энциклопедический словарь
Электро́нно-механи́ческие часы́ - часы, в которых для отсчёта времени используются периодические сигналы, вырабатываемые электронным генератором; результат отсчёта (текущее время) указывается на циферблате стрелками, приводимыми в действие электродвигателем по сигналам генератора.
* * *
ЭЛЕКТРОННО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ЧАСЫ - ЭЛЕКТРО́ННО-МЕХАНИ́ЧЕСКИЕ ЧАСЫ́, часы, в которых для отсчета времени используются периодические сигналы, вырабатываемые электронным генератором; результат отсчета (текущее время) указывается на циферблате стрелками, приводимыми в действие электродвигателем по сигналам генератора.
Большой энциклопедический словарь
ЭЛЕКТРОННО-МЕХАНИЧЕСКИЕ часы - часы, в которых для отсчета времени используются периодические сигналы, вырабатываемые электронным генератором; результат отсчета (текущее время) указывается на циферблате стрелками, приводимыми в действие электродвигателем по сигналам генератора.
Полезные сервисы
электронно-механический
Слитно. Раздельно. Через дефис
Синонимы к слову электронно-механический
Полезные сервисы
электронно-оптические аберрации
Энциклопедический словарь
Электро́нно-опти́ческие аберра́ции - искажения электронно-оптических изображений. Среди аберраций осесимметричных приборов наибольшую роль играют: сферическая аберрация, кома, астигматизм, кривизна поля изображения и дисторсия, хроматическая аберрации (искажения, обусловленные немоноэнергетичностью пучка электронов).
* * *
ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЕ АБЕРРАЦИИ - ЭЛЕКТРО́ННО-ОПТИ́ЧЕСКИЕ АБЕРРА́ЦИИ, искажения электронно-оптических изображений. Среди аберраций (см. АБЕРРАЦИЯ) осесимметричных приборов наибольшую роль играют: сферическая аберрация, кома, астигматизм (см. АСТИГМАТИЗМ), кривизна поля изображения и дисторсия, хроматические аберрации (искажения, обусловленные немоноэнергетичностью пучка электронов).
Большой энциклопедический словарь
ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЕ АБЕРРАЦИИ - искажения электронно-оптических изображений. Среди аберраций осесимметричных приборов наибольшую роль играют: сферическая аберрация, кома, астигматизм, кривизна поля изображения и дисторсия, хроматические аберрации (искажения, обусловленные немоноэнергетичностью пучка электронов).
Полезные сервисы
электронно-оптический
Слитно. Раздельно. Через дефис
Орфографический словарь
Синонимы к слову электронно-оптический
Морфемно-орфографический словарь
Полезные сервисы
электронно-оптический преобразователь
Энциклопедический словарь
Электро́нно-опти́ческий преобразова́тель (ЭОП), вакуумный фотоэлектронный прибор для преобразования невидимого глазом изображения объекта (в ИК-, УФ- или рентгеновских лучах) в видимое либо для усиления яркости видимого изображения. В ЭОП оптическое или рентгеновское изображение преобразуется с помощью фотокатода в электронное, а электронное - в видимое, получаемое на люминесцентном экране. Применяется при оптических и микроскопических исследованиях, для наблюдения в темноте (при освещении объектов ИК-лучами).
* * *
ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ - ЭЛЕКТРО́ННО-ОПТИ́ЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВА́ТЕЛЬ (ЭОП), вакуумный фотоэлектронный прибор для преобразования не видимого глазом изображения объекта (в инфракрасных, ультрафиолетовых или рентгеновских лучах) в видимое либо для усиления яркости видимого изображения. В ЭОП оптическое или рентгеновское изображение преобразуется с помощью фотокатода в электронное, а электронное - в видимое, получаемое на катодолюминесцентном экране. Применяется при оптических и микроскопических исследованиях, для наблюдения в темноте (при освещении объектов инфракрасными лучами).
Большой энциклопедический словарь
ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (ЭОП) - вакуумный фотоэлектронный прибор для преобразования не видимого глазом изображения объекта (в инфракрасных, ультрафиолетовых или рентгеновских лучах) в видимое либо для усиления яркости видимого изображения. В ЭОП оптическое или рентгеновское изображение преобразуется с помощью фотокатода в электронное, а электронное - в видимое, получаемое на катодолюминесцентном экране. Применяется при оптических и микроскопических исследованиях, для наблюдения в темноте (при освещении объектов инфракрасными лучами).
Полезные сервисы
электронно-оснащённый
Слитно. Раздельно. Через дефис
Синонимы к слову электронно-оснащённый
Полезные сервисы
электронно-световой индикатор
Энциклопедический словарь
Электро́нно-светово́й индика́тор - комбинированная электронная лампа, в баллоне которой совмещены усилительная лампа (обычно триод) и индикаторное устройство (содержащее люминесцентный экран и электроды для формирования пучка электронов и управления им). Служит для визуальной индикации точной настройки радиоприёмной и радиоизмерительной аппаратуры.
* * *
ЭЛЕКТРОННО-СВЕТОВОЙ ИНДИКАТОР - ЭЛЕКТРО́ННО-СВЕТОВО́Й ИНДИКА́ТОР, комбинированная электронная лампа, в баллоне которой совмещены усилительная лампа (обычно триод) и индикаторное устройство (содержащее люминесцентный экран и электроды для формирования пучка электронов и управления ими). Служит для визуальной индикации точной настройки радиоприемной и радиоизмерительной аппаратуры.
Большой энциклопедический словарь
ЭЛЕКТРОННО-СВЕТОВОЙ ИНДИКАТОР - комбинированная электронная лампа, в баллоне которой совмещены усилительная лампа (обычно триод) и индикаторное устройство (содержащее люминесцентный экран и электроды для формирования пучка электронов и управления ими). Служит для визуальной индикации точной настройки радиоприемной и радиоизмерительной аппаратуры.