Сло́жные глаза́ - то же, что фасеточные глаза.
* * *
СЛОЖНЫЕ ГЛАЗА - СЛО́ЖНЫЕ ГЛАЗА́, то же, что фасеточные глаза (см. ФАСЕТОЧНЫЕ ГЛАЗА).
СЛОЖНЫЕ ГЛАЗА - то же, что фасеточные глаза.
Разнообразные конструкции, имеющие два общих признака:
1) число предикативных частей больше двух;
2) разные виды связи.
С.м.п. отличаются от:
1) элементарных сложносочиненных;
2) элементарных сложноподчиненных;
3) бессоюзных сложных предложений;
4) усложненных. Напр.: Дверь в сенцы была отворена, но чувствовалось, что дом пуст... (И. Бунин) - сочинение и подчинение. При комбинировании различных видов связи в многочленном предложении один является главным.
Разнообразные конструкции, имеющие два общих признака:
1) число предикативных частей больше двух;
2) разные виды связи.
С.м.п. отличаются от:
1) элементарных сложносочиненных;
2) элементарных сложноподчиненных;
3) бессоюзных сложных предложений;
4) усложненных. Напр.: Дверь в сенцы была отворена, но чувствовалось, что дом пуст... (И. Бунин) - сочинение и подчинение. При комбинировании различных видов связи в многочленном предложении один является главным.
СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ - СЛО́ЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ́, неорганические химические соединения, обладающие полупроводниковыми свойствами (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). К сложным полупроводниковым материалам относятся также аморфные и стеклообразные полупроводники (см. АМОРФНЫЕ И СТЕКЛООБРАЗНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ).
К двойным полупроводниковым фазам относятся двойные полупроводниковые соединения и твердые растворы на их основе. Химические связи в этих фазах смешанные с преобладанием ковалентной, иногда это ковалентно-ионно-металлические связи, реже - ковалентно-ионные. Двойные алмазоподобные полупроводниковые фазы возникают при образовании sp3-гибридных химических связей и для них характерно тетраэдрическое расположение атомов в первой координационной сфере. К двойным алмазоподобным фазам относятся многие соединения классов AIIIBV, AIIBVI, AIBVII, AIII2BVI3, твердые растворы на основе этих соединений, а также карбид кремния (см. КРЕМНИЯ КАРБИД), который является единственным бинарным соединением, образованным полупроводниковыми элементами IV группы. Широкое применение в полупроводниковом приборостроении имеют двойные полупроводниковые соединения AIIIBV, AIIBVI, AIVBVI.
Полупроводниковые соединения A III B V
Являются ближайшими электронными аналогами кремния и германия, относятся к алмазоподобным полупроводникам. Образуются в результате взаимодействия элементов IIIА подгруппы Периодической системы (бора, алюминия, галлия, индия) с элементами VА подгруппы (азотом, фосфором, мышьяком и сурьмой). Висмут и таллий не образуют соединений рассматриваемого ряда. За счет частичного перераспределения электронов атомы AIII и BV в такой структуре оказываются разноименно заряженными. Поэтому связи в кристаллах AIIIBV не полностью ковалентные, а частично ионные. Соединения AIIIBV принято классифицировать по металлоидному ряду: нитриды, фосфиды, арсениды, антимониды. Фосфиды, арсениды и антимониды имеют кристаллическую кубическую решетку типа сфалерита (см. СФАЛЕРИТ). Для нитридов характерна гексагональная решетка типа вюрцита. В решетке того и другого типов каждый атом элемента III группы находится в тетраэдрическом окружении четырех атомов элемента V группы и наоборот. Структура сфалерита не имеет центра симметрии.
В кристаллах AIIIBVреализуется донорно-акцепторная связь. Из четырех ковалентных связей, которыми каждый атом встраивается в решетку, три образуются обобществлением валентный электронов атомов AIII и BV, а четвертая связь осуществляется неподеленной парой валентных электронов атомов BV.
За исключение антимонидов все соединения разлагаются при нагревании. Температура плавления соединений лежит выше температуры плавления образующих его компонентов (исключение - антимонид индия (см. ИНДИЯ АНТИМОНИД)).
Полупроводниковые соединения образуют гомологический ряд, в котором наблюдается закономерное изменение многих свойств при изменении атомных номеров компонентов. Внутри каждой группы соединений аналогов (фосфидов, арсенидов и антимонидов) наблюдается уменьшение температуры плавления, твердости и ширины запрещенной зоны с ростом суммарного атомного номера и атомных масс входящих в соединение элементов и возрастание подвижности носителей заряда, особенно электронов. Подвижность носителей заряда в полупроводниках AIIIBV определяется в основном рассеянием электронов и дырок на оптических тепловых колебаниях решетки.
Основным методом промышленного получения монокристаллов соединений AIIIBV является метод Чохральского, для разлагающихся соединений в варианте с жидкостной герметизацией расплава (см. методы выращивания кристаллов (см. МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ)). Используются также методы направленной кристаллизации. Легирование кристаллов с целью получения необходимых электрофизических свойств осуществляется в процессе выращивания.
Наиболее широко применение среди этой группы материалов имеют арсенид галлия (см. ГАЛЛИЯ АРСЕНИД) и фосфид индия (см. ИНДИЯ ФОСФИД). Для изготовления ряда приборов электронной техники применяются также арсенид индия (см. ИНДИЯ АРСЕНИД), антимонид индия (см. ИНДИЯ АНТИМОНИД), антимонид галлия (см. ГАЛЛИЯ АНТИМОНИД) и другие материалы.
Соединения AIIIBVиспользуются в производстве полупроводниковых приборов различного назначения: СВЧ-интегральные схемы, светодиоды, фоторезисторы, лазеры, приемники ИК-излучения, туннельные диоды и др.
На основе соединений AIIIBV образуются твердые растворы замещения. При изменении состава твердого раствора можно управлять шириной запрещенной зоны соединений. Изменение ширины запрещенной зоны сопровождается соответствующим смещением спектров оптического поглощения и пропускания, люминесценции и фоточувствительности. С изменением состава твердого раствора изменяются значения диэлектрической проницаемости и показателя преломления в ряде систем при определенных соотношениях между компонентами можно получить качественно новое сочетание свойств. Например, в твердых растворах GaAs1-yPy и AlxGa1-xAs сочетаются достаточно широкая запрещенная зона и высокий квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации. На основе тройных и четверных твердых растворов соединений AIIIBVсоздаются гетеропереходы (см. ГЕТЕРОПЕРЕХОД) и приборы на их основе.
Полупроводниковые соединения A II B VI
К соединениям AIIBVI относят халькогениды цинка, кадмия и ртути. Среди них выделяют сульфиды, селениды и теллуриды. Оксиды указанных металлов в эту группу полупроводниковых соединений не входят (см. Оксидные полупроводники (см. ОКСИДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ)). Соединения AIIBVI являются алмазоподобными полупроводниками и кристаллизуются в структуре сфалерита или вюрцита. CdS, CdSe, CdTe, ZnS могут существовать как в кубической структуре сфалерита, так и в гексагональной структуре вюрцита.
Химическая связь носит смешанный ковалентно-ионный характер. Ионная составляющая связи в этих соединениях достигает 45-70%. Большая доля ионной составляющей связи в соединениях AIIBVI по сравнению с полупроводниками AIIIBV обусловлена большими различиями в электроотрицательности (см. ЭЛЕКТРООТРИЦАТЕЛЬНОСТЬ) элементов, образующих соединение. Это приводит к большим значениям ширины запрещенной зоны и более низким значениям подвижности носителей заряда в рядах изоэлектронных аналогов (см. ИЗОЭЛЕКТРОННЫЕ АНАЛОГИ). С ростом средней атомной массы во всех трех гомологичных рядах закономерно уменьшается ширина запрещенной зоны и температура плавления соединений. В ряду халькогенидов сульфиды - селениды - теллуриды уменьшается температура плавления, ширина запрещенной зоны, удельное сопротивление, подвижность носителей заряда возрастает.
Один из основных механизмов образования фаз переменного состава на основе этих соединений (особенно в случае соединений с большой шириной запрещенной зоны) состоит в том, что избыточные атомы компонентов располагаются в узлах своей подрешетки, а в другой подрешетке возникают вакансии, образуются растворы вычитания (см. твердые растворы (см. ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ)). Удельное сопротивление и тип проводимости в этих соединениях определяются не столько легирующими примесями, сколько характерными для них структурными дефектами, связанными с отклонением их состава от стехиометрического. Избыток металлической составляющей обуславливает электронную проводимость, избыток халькогенов - дырочную.
Большинство соединений AIIBVI относится к технологически трудным материалам. Высокие температуры плавления и большие значения упругости пара составляющих компонентов затрудняют получение совершенных монокристаллов. Поликристаллические халькогениды обычно получают путем их осаждения из растворов (ZnS, CdS,CdSe) или сплавлением исходных компонентов (ZnSe, ZnTe, CdTe), монокристаллические - направленной кристаллизацией, сплавлением компонентов или выращиванием из расплава или с помощью химических реакций в газовой фазе.
Халькогениды обладают высокой чувствительностью к излучению в области от инфракрасной до рентгеновской. У них достаточно сильно проявляются фоторезистивные и люминесцентные свойства, некоторые их них обладают пьезоэлектрическим эффектом.
Монокристаллы ZnS и спеченные поликристаллические блоки обладают высокой прозрачностью в области ИК-спектра, и используются в качестве входных окон и линз в оптико-электронных устройствах. Наличие пьезоэлектрического эффекта у пленок ZnS позволило применять их в некоторых акустических устройствах. Сульфид цинка (ZnS) и сульфид цинка-кадмия ZnXCd1-XS используются для изготовления квантоскопов голубого и синего цвета излучения, квантоскопов и приемников УФ-излучения.
Селенид цинка ZnSe проявляет фоторезистивные, фото- и электролюминесцентные свойства, имеет высокую прозрачность в ИК-области. Оптическую керамику на основе ZnSe применяют для изготовления входных окон и линз в оптико-электронных устройствах. Теллурид цинка ZnTe обладает электролюминесцентными и фоторезистивными свойствами.
Наилучшие солнечные элементы на основе CdTe включают гетеропереход с CdS в качестве оконного слоя. Оксид олова используется как прозрачный контакт и просветляющее покрытие. p-i-n-структуры с гетеропереходом CdTe/ZnTe обладают высокой подвижностью носителей заряда, а солнечные элементы на их основе - высокими значениями КПД, от 10 до 16%.
Теллурид кадмия (CdTe) и теллурид цинка-кадмия (CdZnTe) используются для изготовления электрооптических модуляторов, приемников радиационного и ИК-излучения и других оптических элементов ИК-оптических систем. Селенид кадмия, сульфид и сульфоселенид кадмия используются для изготовления преобразователей длин волн лазерного излучения, квантоскопов красного, оранжевого, желтого и зеленого цвета излучения.
Полупроводниковые соединения A IV B VI
Соединения этого класса кристаллизуются либо в кубической структуре типа NaCl (PbS, PbSe, PbTe, SnTe, высокотемпературная модификация GeTe), либо в орторомбической структуре, которую можно рассматривать как деформированную решетку типа NaCl (GeS, GeSe, низкотемпературная модификация GeTe, SnS, SnSe). Связи между атомами в соединениях этого типа смешанные ионно-ковалентные.
Основное применение в полупроводниковом приборостроении имеют кристаллы халькогенидов свинца PbS, PbSe, PbTe. Это узкозонные полупроводники, ширина запрещенной зоны составляет, соответственно для PbS, PbSe, PbTe - 0,39, 0,27 и 0,32 эВ. Электрофизические свойства халькогенидов свинца сильно зависят от степени отклонения от стехиометрии: при избытке атомов свинца кристаллы имеют n-тип проводимости, при избытке халькогена - р-тип проводимости. Атомы элементов I группы (Na, Cu, Ag), замещают свинец и являются акцепторами, атомы трехвалентных металлов, заменяя свинец, являются донорами, донорами в этих материалах являются атомы галогенов.
Энергетические уровни большинства примесей в халькогенидах свинца сливаются с краем соответствующей зоны, поэтому концентрация носителей заряда в них практически не зависит от температуры, вплоть до наступления собственной электропроводности.
Тонкие пленки и поликристаллические слои халькогенидов свинца обладают высокой фоточувствительностью в далекой ИК-области спектра. Благодаря хорошим фотоэлектрическим свойствам халькогениды свинца используются для изготовления фоторезисторов и применяются в качестве детекторов ИК-излучения. Тонкопленочные детекторы на основе сульфида свинца работают в спектральном интервале 0,6-3 мкм и интервале температур 77-350 К в зависимости от предъявляемых требований и особенностей их применения. В список наиболее распространенных областей применения ИК-фотоприемников на основе сульфида свинца (PbS) входят звездные, спектрографические датчики, медицинские, исследовательские инструменты, сортирующие, счетные, контролирующие приборы, регистраторы пламени, системы определения положения тепловых источников, управление ракетами, следящие системы, исследования в области летательных аппаратов, измерение мощности в лазерных системах.
При низких температурах в халькогенидах свинца возможна эффективная излучательная рекомбинация, что позволяет создавать на их основе лазеры инжекционного типа. Халькогениды свинца широко используются в инфракрасной оптоэлектронике, в основном для изготовления лазеров и светодиодов, работающих в среднем и дальнем ИК-диапазонах. Кроме этого, халькогениды свинца обладают благоприятным сочетанием свойств для изготовления термоэлектрических генераторов. Твердые растворы на основе халькогенида свинца используются для изготовления фотоприемников с высокой спектральной чувствительностью в диапазоне 8-14 мкм. Халькогениды свинца относятся к числу хорошо известных перспективных термоэлектрических материалов, работающих в области средних температур (600 - 900 К). В последние годы интерес к этим материалам возрос в связи с возможностью значительного увеличения термоэлектрической добротности в тонкопленочных структурах на основе халькогенидов свинца.
Тройные полупроводниковые соединения
Химические связи в тройных полупроводниковых соединениях, так же как и в двойных, носят смешанный коваленто-ионный или ковалентно-ионно-металлический характер. Специфика связей обусловлена наличием атомов трех сортов. Тройные полупроводниковые соединения могут быть разделены на одноанионные (двухкатионные) и двуханионные (однокатионные). Примером одноанионных соединений могут служить соединения типа AIIBIVCV2, AIBIV2CV3 .двуханионных - AII2BVCVII, AIII2BIVCIV.
Тройные полупроводниковые соединения образуются при возникновении sp3-гибридных связей и характеризуются тетраэдрическим расположением атомов в пространстве. Кристаллизуются в структуру сфалерита, вюрцита, халькопирита, но в одной из подрешеток содержатся атомы двух сортов, размещенные либо упорядоченно, либо неупорядоченно. В случае неупорядоченного размещения атомов двух сортов в соответствующей решетке возникает структура сфалерита или вюрцита, в случае упорядоченного размещения кубическая решетка испытывает тетрагональное искажение и возникает структура халькопирита (антихалькопирита), которую можно рассматривать как удвоенную вдоль оси с в направлении ячейку сфалерита.
Однако в полупроводниковом приборостроении лишь ограниченное количество тройных полупроводниковых соединений находит применение.
1) Набор языковых средств, характерных для разных стилей, в том числе, и для научной речи. В научной речи сложные предложения выражают подчеркнутую логичность, доказательность, точность. Их употребление связало с воздействующей и информативной функцией научной речи: В западных предгорьях широко распространены карстовые формы, в то время как на востоке они встречаются очень редко. (А. А. Макунина).
2) Один из элементов информационной модели научного стиля, входящий в смоделированный с опорой на подчеркнутую логичность, доказательность и точность набор языковых средств.
Предложения, структура которых определяется количеством предикативных частей и их строением, а грамматическая форма представлена союзными средствами:
1) союзами;
2) союзными словами;
3) указательными словами тот, такой, таков, там, тогда и др.
Семантика союзных средств и их соотносительность: такой - какой, тот - кто, туда - куда, столько - сколько, так - что, такой - будто, так - чтобы и т.п. - оформляют отношения между предикативными частями С.п.с. С.п.с. разделяются на два подтипа:
1) сложносочиненные и 2) сложноподчиненные.
Предложения, структура которых определяется количеством предикативных частей и их строением, а грамматическая форма представлена союзными средствами:
1) союзами;
2) союзными словами;
3) указательными словами тот, такой, таков, там, тогда и др. Семантика союзных средств и их соотносительность: такой - какой, тот - кто, туда - куда, столько - столько, так - что, такой - будто, так - чтобы и т.п. - оформляют отношения между предикативными частями С.п.с. С.п.с. разделяются на два подтипа: 1) сложносочиненные и 2) сложноподчиненные.
Сло́жные реа́кции - химические реакции, в которых конечные продукты получаются из исходных через промежуточные вещества. Образование каждого из промежуточных веществ называется элементарной стадией сложных реакций. К сложным реакциям относятся, например, цепные реакции, большинство органических реакций.
* * *
СЛОЖНЫЕ РЕАКЦИИ - СЛО́ЖНЫЕ РЕА́КЦИИ, химические реакции, в которых конечные продукты получаются из исходных через промежуточные вещества. Образование каждого из промежуточных веществ называется элементарной стадией сложной реакции. К сложным реакциям относятся, напр., цепные реакции, большинство органических реакций.
СЛОЖНЫЕ РЕАКЦИИ - химические реакции, в которых конечные продукты получаются из исходных через промежуточные вещества. Образование каждого из промежуточных веществ называется элементарной стадией сложной реакции. К сложным реакциям относятся, напр., цепные реакции, большинство органических реакций.
Слюна - это бесцветная жидкость, льющаяся, состоящая из воды, минеральных компонентов, органических веществ (муцина) и диастазы, птиалина или слюнной амилазы.
Слюновыделение происходит постоянно, но увеличивается в момент приема пищи как рефлекторное явление. Оно составляет около 800 см3 за сутки.
Кроме своей механической роли (размягчение, смазывание), слюна начинает перерабатывать углеводы под воздействием птиалина. Этот фермент воздействует на сложные сахара, то есть сахара, состоящие из длинных цепочек молекул (крахмал, клетчатка, гликоген); он расщепляет эти сахара на более простые составляющие, из двух молекул (двойные сахара). Результатом этого воздействия является образование в основном мальтозы. Все углеводы, таким образом, превращаются слюной в двойные сахара.
химические явления пищеварения, печень
1) Сложносочиненные предложения, в состав которых входят сложноподчиненные предложения (сложные предложения с сочинением и подчинением, сложные предложения смешанного состава). Комната, в которую мы вошли, была разделена барьером, и я не видел, с кем говорила и кому униженно кланялась моя мать (Каверин). Беспрестанно, невольно мой взгляд сталкивался с этой ужасно прямой линией набережной и мысленно хотел оттолкнуть, уничтожить ее, как черное пятно, которое сидит на носу под глазом; но набережная с гуляющими англичанами оставалась на месте, и я невольно старался найти точку зрения, с которой бы мне ее не было видно (Л. Толстой).
2) Сложные предложения с бессоюзным и союзным соединением частей, включающих сложноподчиненные предложения. Я ценю его и не отрицаю его значения; на таких, как он, этот мир держится, и если бы мир был предоставлен только одним нам, те мы, при всей своей доброте и благих намерениях, сделали бы из него то же самое, что вот мухи из этой картины (Чехов). Во всем, что наполняет комнату, чувствуется нечто давно отжившее, какое-то сухое тление, все вещи источают тот странный запах, который дают цветы, высушенные временем до того, что, когда коснешься их, они рассыпаются серой пылью (Горький). Если когда-нибудь твое сердце сжимается от страха за маленьких, откинь все страхи, погаси беспокойство, будь твердо уверен: они со мной и, значит, все в порядке (Павленко).
3) Многочленное сложноподчиненное предложение. Слышно было, как на улице скрипели полозья, как проезжали к фабрике углевозы и как хрипло покрикивали на лошадей полузамерзшие люди (Мамин-Сибиряк). Если бы Нехлюдов тогда ясно сознал бы свою любовь к Катюше и в особенности если бы тогда его стали убеждать в том, что он никак не может и не должен соединить свою судьбу с такой девушкой, то очень легко могло бы случиться, что он, с своей прямолинейностью во всем, решил бы, что нет никаких причин не жениться на девушке, кто бы она ни была, если только он любит её (Л. Толстой). см. также соподчинение предложений (в статье соподчинение).
Сло́жные слова́ - слова, образованные сложением двух или более полнозначных слов или их основ («пароход», «углеродсодержащий»); см. Словосложение.
* * *
СЛОЖНЫЕ СЛОВА - СЛО́ЖНЫЕ СЛОВА́, слова, образованные сложением двух или более полнозначных слов или их основ («пароход», «углеродсодержащий»); см. Словосложение (см. СЛОВОСЛОЖЕНИЕ).
СЛОЖНЫЕ СЛОВА - слова, образованные сложением двух или более полнозначных слов или их основ ("пароход", "углеродсодержащий"); см. Словосложение.
сложные языки - самым сложными языками в мире считаются следующие языки: гиппева. североамериканских индейцев Миннесоты, который обладает максимальным количеством глагольных форм - до 60 тыс.; хайда - также язык североамериканских индейцев, имеющий максимальное число префиксов - до 70 тыс.; табасаранский - язык народа в Дагестане, Россия, насчитывающий 37 падежей существительных. Весьма сложен, конечно, и китайский язык, в котором имеется около 50 тыс. иероглифов.