сущ., кол-во синонимов: 1
субстанция (16)
Элемента́рная длина́ - то же, что фундаментальная длина.
* * *
ЭЛЕМЕНТАРНАЯ ДЛИНА - ЭЛЕМЕНТА́РНАЯ ДЛИНА́, то же, что фундаментальная длина (см. ФУНДАМЕНТАЛЬНАЯ ДЛИНА).
ЭЛЕМЕНТА́РНАЯ (от лат. elementarius - первоначальный, простейший, основной) ЕДИНИ́ЦА ОБУЧЕ́НИЯ.
Минимальная структурная единица методической организации учебного материала, используемого в учебном процессе. Э. е. о. обычно считается упражнение. В отличие от урока упражнение не может дробиться на меньшие по объему единицы, что и позволяет говорить об упражнении как об Э. е. о.
Элемента́рная матема́тика - несколько неопределённое понятие, охватывающее совокупность таких разделов, задач и методов математики, в которых не пользуются общими понятиями переменной, функции, предела.
* * *
ЭЛЕМЕНТАРНАЯ МАТЕМАТИКА - ЭЛЕМЕНТА́РНАЯ МАТЕМА́ТИКА, несколько неопределенное понятие, охватывающее совокупность таких разделов, задач и методов математики, в которых не пользуются общими понятиями переменной, функции, предела.
ЭЛЕМЕНТАРНАЯ МАТЕМАТИКА - несколько неопределенное понятие, охватывающее совокупность таких разделов, задач и методов математики, в которых не пользуются общими понятиями переменной, функции, предела.
Элемента́рная яче́йка криста́лла - часть кристаллической решётки, параллельные переносы которой в трёх измерениях (трансляции) позволяют построить всю кристаллическую решётку. Выбор элементарной ячейки кристалла производится различными способами. Элементарная ячейка кристалла в общем случае имеет форму параллелепипеда. Длины рёбер обозначают a, b, с, а углы между ними - α, β, γ (рис.).
* * *
ЭЛЕМЕНТАРНАЯ ЯЧЕЙКА КРИСТАЛЛА - ЭЛЕМЕНТА́РНАЯ ЯЧЕ́ЙКА КРИСТА́ЛЛА, часть кристаллической решетки, параллельные переносы которой в трех измерениях (трансляции) позволяют построить всю кристаллическую решетку. Выбор элементарной ячейки кристалла производится различными способами. За ребра элементарной ячейки, т. е. за элементарные трансляции, принимают те направления в пространственной решетке (см. ПРОСТРАНСТВЕННАЯ РЕШЕТКА), в которых период трансляции наименьший и которые наилучшим образом отражают симметрию решетки. Если по соображениям симметрии это возможно, то предпочтение отдается трансляциям взаимно перпендикулярным и (или) таким, чтобы периоды элементарных трансляций были равны друг другу.
Выбор основных трансляций в структуре кристалла определяет кристаллографическую систему координат. Параллелепипед, построенный на трех элементарных трансляциях a, b, c называется элементарным параллелепипедом или элементарной ячейкой. В трехмерной системе координат X, Y, Z трансляции a, b, c направлены, соответственно, вдоль осей X, Y, Z, а углы элементарной ячейки a, b, g лежат против осей X, Y, Z. Направления кристаллографических осей координат соответствуют направлениям ребер элементарной ячейки, а масштабные отрезки - длинам этих ребер.
Объем примитивной элементарной ячейки не зависит от ее формы и является величиной постоянной для данной решетки, он равен объему, приходящемуся на один узел.
ЭЛЕМЕНТАРНАЯ ЯЧЕЙКА КРИСТАЛЛА - часть кристаллической решетки, параллельные переносы которой в трех измерениях (трансляции) позволяют построить всю кристаллическую решетку. Выбор элементарной ячейки кристалла производится различными способами. Элементарная ячейка кристалла в общем случае имеет форму параллелепипеда. Длины ребер обозначают a, b, c, а углы между ними - ?, ?, ?.
ЭЛЕМЕНТАРНАЯ ЯЧЕЙКА МАГНИТНАЯ - ЭЛЕМЕНТА́РНАЯ ЯЧЕ́ЙКА МАГНИ́ТНАЯ, наименьшая совокупность групп атомов кристаллической решетки, периодическим повторением которой (трансляциями) получается вся магнитная структура кристалла. Кристаллическая элементарная ячейка может или совпадать с магнитной, или быть кратной ей.
Макроскопический суммарный момент единицы объема IS называется спонтанной намагниченностью.
Все кристаллы с магнитным упорядочением подразделяются на две группы:
- кристаллы, в которых суммарный магнитный момент элементарной магнитной ячейки IS не равно 0. Эти кристаллы называют ферромагнетиками (см. ФЕРРОМАГНЕТИК).
- кристаллы, в которых суммарный магнитный моментом элементарной магнитной ячейки IS=0. Такие кристаллы являются антиферромагнетиками (см. АНТИФЕРРОМАГНЕТИК).
Кристаллографически все атомы, имеющие одинаковое направление магнитных моментов в структуре, можно объединить в магнитные подрешетки. Магнитная подрешетка - это совокупность всех атомных магнитных моментов, получающихся один из другого с помощью параллельных переносов на расстояния, кратные периодам магнитной элементарной ячейки. В общем случае магнитная структура может содержать несколько подрешеток, образованных атомами, находящимися в кристаллографически неэквивалентных позициях.
I нареч. качеств.
Так, что понятно каждому.
II предик.
Оценочная характеристика чего-либо как понятного каждому.
нареч, кол-во синонимов: 63
атомарно (1)
без затей (19)
безыскусно (22)
безыскусственно (21)
бесхитростно (41)
буднично (14)
влегкую (15)
да легко (4)
для глупых (2)
ежу понятно (16)
естественно (65)
запросто (44)
и к бабке не ходи (22)
и к гадалке не ходи (22)
избито (16)
как два пальца (17)
как два пальца об асфальт (16)
как нечего делать (15)
легко (139)
легкотня (6)
легче легкого (17)
легче простого (6)
на раз-два (4)
начально (13)
не мудрствуя лукаво (15)
незамысловато (22)
незатейливо (24)
немудрено (23)
непринужденно (21)
неприхотливо (20)
несложно (26)
нетрудно (13)
нехитро (18)
общеизвестно (9)
обыкновенно (40)
обычно (46)
однозначно (34)
очевидно (95)
поверхностно (32)
попросту (37)
примитивно (32)
прозрачно (24)
простенько (9)
просто (106)
проще не бывает (18)
проще некуда (17)
проще пареной репы (26)
проще простого (24)
пустяково (11)
скромно (42)
схематически (4)
схематично (7)
только так (2)
упрощенно (12)
хрестоматийно (15)
элементарно, ватсон (14)
ясен пень! (16)
яснее ясного (19)
ясно как божий день (33)
ясно как день (31)
ясное дело (18)
см. упрощённо
пустяково, прозрачно, неприхотливо, ясно как божий день, ясно как день, избито, незатейливо, незамысловато, немудрено, попросту, яснее ясного, безыскусно, несложно, хрестоматийно, просто, и к гадалке не ходи, и к бабке не ходи, это банально, хоботов, бесхитростно, начально, естественно, проще пареной репы, без затей, непринужденно, нетрудно, примитивно, скромно, схематически, буднично, легко, упрощенно, схематично, общеизвестно, поверхностно, обыкновенно, не мудрствуя лукаво, элементарно, ватсон, нехитро, очевидно, безыскусственно
- Американский детективный телесериал, основанный на персонажах книг сэра Артура Конан Дойла о Шерлоке Холмсе, действие происходит в наши дни.
- В каком из телесериалов о Шерлоке Холмсе его главным другом, партнёром и биографом является женщина?
нареч, кол-во синонимов: 14
безыскусно (22)
безыскусственно (21)
беспроблемно (3)
естественно (65)
и к бабке не ходи (22)
и к гадалке не ходи (22)
очевидно (95)
прозрачно (24)
просто (106)
проще пареной репы (26)
элементарно (63)
яснее ясного (19)
ясно как божий день (33)
ясно как день (31)
Фраза Шерлока Холмса из телефильма «Приключения Шерлока Холмса и доктора Ватсона» (1979), снятого режиссером Игорем Масленниковым по мотивам произведений Артура Конан Дойла.
В произведениях писателя такой реплики - «Элементарно, мой дорогой Ватсон» - нет. Только в рассказе «Горбун» Холмс произносит только слово «элементарно», без обращения к Ватсону.
Любимое выражение Шерлока Холмса стало столь же популярным и в народе. О простоте, несложности дела, умозаключения.
Элементарное родство - Фонетическое сходство близкозначных слов в разных, в том числе неродственных, языках, если оно обусловлено звукоизобразительными мотивами или принадлежностью так называемой «детской речи» (русск. кукушка - нем. Kukuck - венг. kakuk - цезск., гинухск. и др. (Сев. Кавказ) kuku; русск. диал. мумлить 'жевать', 'бормотать' - нем. mummeln 'бормотать' - эстон. mumisema 'ворчать' - суахили -mumunya ' жевать'; русск. мама - нем. Mama - финск. mamma - удмурт. memi - турецк. mama - китайск. мāма - удэгейск. мама' 'бабушка', лат. mamma 'женская грудь' - кетск. ma?m 'то же')
Случаи «элементарного родства» часто нарушают закономерные исторические соответствия между звуками родственных языков и должны быть исключены из генетического анализа.
ЭЛЕМЕНТА́РНОСТЬ, элементарности, мн. нет, жен. (книжн.). отвлеч. сущ. к элементарный в 3 и 4 знач.
элемента́рность, элемента́рности, элемента́рностей, элемента́рностям, элемента́рностью, элемента́рностями, элемента́рностях
сущ., кол-во синонимов: 32
азбучность (19)
атомарность (3)
безыскусность (23)
безыскусственность (20)
бесхитростность (31)
доступность (24)
естественность (24)
избитость (25)
легкость (57)
начальность (4)
незамысловатость (18)
незатейливость (23)
непринужденность (18)
неприхотливость (20)
несложность (25)
нетрудность (9)
нехитрость (18)
общеизвестность (11)
обыкновенность (22)
обычность (27)
однозначность (11)
поверхностность (24)
посильность (8)
примитивность (36)
простота (69)
пустяковость (18)
скромность (41)
схематизм (6)
схематичность (10)
упрощенность (12)
хрестоматийность (16)
элементарщина (4)
упрощенность, примитивность, схематичность, схематизм, атомарность; непринужденность, неприхотливость, безыскусственность, безыскусность, скромность, азбучность, естественность, поверхностность, пустяковость, общеизвестность, избитость, бесхитростность, нехитрость, хрестоматийность, легкость, буднично, начальность, незатейливость, незамысловатость, обыкновенность, доступность, нетрудность, несложность, простота, посильность. Ant. сложность
Книги для первоначального обучения. - Элементарные духи, или существа, пребывавшие, согласно средневековым понятиям, в четырех стихиях, а именно: гномы в земле, ундины в воде, сильфы в воздухе, саламандры в огне. - Элементарные познания, основные познания. - Элементарная школа, начальное училище. - Элементарный камень, благородный опал, отливающий четырьмя различными цветами.
ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ - ЭЛЕМЕНТА́РНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКО́ВЫЕ МАТЕРИА́ЛЫ (простые полупроводники), химические элементы, простые вещества которых проявляют полупроводниковые свойства (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ).
Полупроводниковые свойства проявляют 12 химических элементов, находящихся в средней части Периодической системы Д. И. Менделеева (см. ПЕРИОДИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ЭЛЕМЕНТОВ МЕНДЕЛЕЕВА). К ним относятся: элементы IVА подгруппы - углерод (алмаз), кремний, германий, олово; элементы VА подгруппы - фосфор, мышьяк, сурьма и висмут; элементы VIА подгруппы - сера, селен, теллур; элементы VIIА подгруппы - иод. Все они являются p-элементами, в атомах которых постепенно заполняются электронами p-орбитали. В простых веществах с валентными s- и p-электронами выполняется правило Юм-Розери (правило октета), согласно которому координационное число (см. КООРДИНАЦИОННОЕ ЧИСЛО) К = (8 - N) , где N - номер группы в Периодической системе. В полупроводниках группы IVА координационное число равно четырем (тетраэдр). У полупроводниковых модификаций простых веществ группы VА - фосфор, мышьяк, сурьма - координационное число равно трем, что способствует формированию слоистых структур. S, Se, Te (группа VIА) в полупроводниковом состоянии имеют координационное число 2 и образуют линейные и цепочечные структуры, связанные в трехмерную решетку силами Ван-дер-Ваальса (см. МЕЖМОЛЕКУЛЯРНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ). У полупроводниковой модификации йода (группа VIIА) координационное число равно единице. Из 12 элементарных полупроводниковых элементов приборное применение имеют только три - кремний, германий и селен.
Элементы VII А подгруппы
Из элементов этой группы к полупроводникам относится только йод. В твердом состоянии он обладает полупроводниковыми свойствами, в нем реализуются р-связи.
Элементы VI А подгруппы
Полупроводниковыми свойствами обладают сера, селен и теллур. Кристаллы этих элементов состоят из спиральных цепочек или колец, в которых каждый атом имеет две ковалентные связи с атомами той же цепочки. Между собой цепочки связаны силами Ван-дер-Ваальса. Ширина запрещенной зоны (см. ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА) убывает с увеличением порядкового номера и составляет у серы - 2,4 эВ, у селена 1,7 эВ, у теллура 0,35 эВ. Элементы этой подгруппы входят в качестве основных компонентов в полупроводниковые соединения, а также используются в качестве донорных примесей в соединениях AIIIBV.
В качестве полупроводникового материала в микроэлектронике из элементов VIА подгруппы используется гексагональная модификация селена. Это полупроводник p-типа проводимости, полупроводниковые свойства которого проявляются и используются и в поликристаллических структурах. Ширина запрещенной зоны 1,8 эВ. Монокристаллы гексагонального селена получают выращиванием из расплава или осаждением из газовой фазы. Испарением Se в вакууме на подложку можно получать пленки толщиной 50-100 мкм, которые применяют для производства полупроводниковых приборов. Гексагональный селен используется для изготовления полупроводниковых выпрямителей фотоэлементов, солнечных батарей.
Для селена характерен внутренний фотоэффект: под действием света растет число дырок и увеличивается собственная электропроводность. На этом свойстве основано действие селеновых фотоэлементов и многих других приборов. Влияние света на электрические свойства селена двояко. Первое - это уменьшение его сопротивления на свету. Второе, не менее важное - фотогальванический эффект, т. е. непосредственное преобразование энергии света в электроэнергию в селеновом приборе. Для осуществления фотогальванического эффекта необходимо, чтобы энергия фотонов была больше некоей пороговой, минимальной для данного фотоэлемента, величины. Простейший прибор, в котором используется именно этот эффект, - экспонометр. Более сложные устройства - солнечные батареи, работающие на Земле и в космосе.
Элементы VА подгруппы
У полупроводниковых элементов VА подгруппы - фосфора, сурьмы, мышьяка и висмута - химические связи реализуются за счет образования р3-орбит, они имеют структуры с координационным числом =3, относящимся к ромбоэдрической сингонии. Такие кристаллы можно представить состоящими из двухслойных пластин. Каждый атом имеет в соседнем слое той же пластины трех ближайших соседей, с которыми он связан ковалентными связями. Соседние пластины связаны между собой слабыми силами Ван-дер-Ваальса. Элементы этой подгруппы входят в качестве основных компонентов в полупроводниковые соединения, а также используются в качестве донорных примесей в соединениях AIIIBV.
Элементы IVА подгруппы
К полупроводниковым элементам IVА подгруппы относятся основные полупроводниковые материалы германий и кремний, а также углерод (алмаз) и полиморфная -модификация олова. Эти элементы имеют кристаллическую решетку типа алмаза. Связи между атомами sp3-гибридные, тетраэдрические.
Недостатком германия и кремния как полупроводниковых материалов, являются малая ширина запрещенной зоны, поэтому рабочая температура германиевых приборов не превышает 60-80 оC. Германий относится к числу редких и очень рассеянных химических элементов. Кремний не имеет указанных недостатков, а по распространенности занимает второе место после кислорода. Ширина запрещенной зоны кремния значительно больше, чем у германия, поэтому кремниевые приборы могут функционировать при более высокой температуре (200-220 оC), однако подвижности носителей тока у кремния меньше, чем у германия. Поэтому частотный предел кремниевых полупроводниковых приборов ниже германиевых. Технологически кремний труднее получить в чистом состоянии, чем германий. Поэтому один из самых распространенных элементов в виде простого вещества нужной чистоты становится дороже редкого и рассеянного германия.
Германий полупроводниковый. Кристаллизуется в решетке типа алмаза (см. Типы кристаллических структур (см. СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ КРИСТАЛЛОВ)). Связь между атомами в решетке германия - ковалентная. Число атомов Ge в единице объема - 4,45.1022атом/см3. Ширина запрещенной зоны небольшая и равна 0,72эВ. Германий прозрачен в ИК-области спектра, начиная с длины волны 1,8 мкм.
Одно из преимуществ технологии германия - относительно невысокая температура плавления (936 оС) и ничтожно малое давление насыщенного пара при этой температуре, что существенно упрощает процесс кристаллизационной очистки и выращивания монокристаллов. Кроме этого германий даже в расплавленном состоянии практически не взаимодействует с кварцем, из которого изготавливают тигли. Монокристаллический германий получают методом Чохральского (см. Методы выращивания кристаллов (см. МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ)), реже - методом зонной плавки (см. ЗОННАЯ ПЛАВКА). Основной фоновой загрязняющей примесью в германии является кислород. Для некоторых приборов (например, для счетчиков ядерных излучений) требуются монокристаллы германия с пониженным содержанием кислорода. Монокристаллы германия с малым содержанием кислорода выращивают методом Чохральского на высоковакуумных установках при остаточном давлении 10-5Па. В связи с сильным испарением германия в таких условиях процесс проводят в атмосфере высокочистого водорода или в смеси водорода с инертными газами.
Для получения необходимых электрофизических свойств германий легируют различными примесями. В качестве доноров и акцепторов в германии используют соответственно элементы V и III групп Периодической системы. Эти примеси создают мелкие уровни в запрещенной зоне с энергией ионизации порядка 0,01 эВ. Большинство примесей других групп проявляют свойства многозарядовых центров (создают несколько уровней в запрещенной зоне (см. ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА)). Мелкие доноры и акцепторы при температуре выше 90 К полностью ионизованы, поэтому в нормальных условиях концентрация носителей заряда в германии определяется концентрацией примеси. В слаболегированном германии в достаточно широком диапазоне температур наблюдается положительный температурный коэффициент удельного сопротивления. Температура, при которой начинает проявляться собственная электропроводность, зависит от концентрации легирующей примеси.
Германий - один из первых полупроводниковых материалов, который широко использовался для изготовления большого количества приборов. На его основе можно изготавливать выпрямительные плоскостные диоды, низко- и высокочастотные, мощные и маломощные транзисторы, лавинно-пролетные и туннельные диоды, варикапы, точечные высокочастотные импульсные и СВЧ-диоды. В импульсных диодах для достижения высокой скорости переключения требуется материал с малым временем жизни неравновесных носителей заряда. Этому требованию удовлетворяет германий, легированный золотом. Благодаря относительно высокой подвижности носителей заряда германий применяют для изготовления датчиков Холла (см. ХОЛЛА ЭДС ДАТЧИК) и других магниточувствительных приборов.
В последние годы основное применение германий находит в производстве оптических приборов. Оптические свойства германия позволяют использовать его для изготовления фототранзисторов и фотодиодов, оптических линз и фильтров инфракрасной техники, модуляторов света и коротковолнового радиоизлучения. Он не имеет конкуренции в счетчиках ядерных частиц. Недостаточно высокое значение ширины запрещенной зоны позволяет изготовленным из германия приборам работать при относительно невысоких температурах (до 60-70 оС). Это явилось основной причиной вытеснения его из многих приборов более широкозонным кремнием и арсенидом галлия (см. ГАЛЛИЯ АРСЕНИД).
Кремний полупроводниковый, монокристаллический - основной материал для твердотельной электроники. Ежегодно в мире производится около 9000 тонн высокосовершенных бездислокационных монокристаллов кремния. Кремний находит широкое применение в микроэлектронике, силовой электронике, солнечной энергетике, кремниевой оптоэлектронике.
Кремний, как и германий, кристаллизуется в решетке типа (см. СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ КРИСТАЛЛОВ) алмаза. Связь между атомами в решетке германия - ковалентная. Число атомов Si в единице объема - 5,0.1022атом/см3. Ширина запрещенной зоны равна 1,12 эВ.
Получение монокристаллов кремния
В качестве исходного материала при производстве монокристаллов используется поликристаллический кремний высокой чистоты, полученный путем водородного восстановления прошедших глубокую очистку хлорсиланов или путем термического разложения особо чистого моносилана. Оба метода обеспечивают получение исходного кремния с суммарным содержанием остаточных примесей 1011-1012 ат.см-3. Для получения монокристаллов используют метод (см. МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ) Чохральского и бестигельную зонную плавку (см. ЗОННАЯ ПЛАВКА). Процесс бестигельной зонной плавки, в котором предварительно проводится дополнительная глубокая зонная очистка исходной поликристаллической заготовки от остаточных примесей, используют для получения наиболее чистых и обладающих высоким удельным сопротивлением монокристаллов. Монокристаллы, полученные таким способом, обладают удельным сопротивлением до 100 кОм.см и большой диффузионной длиной носителей заряда, имеют низкое содержание кислорода, но однородность распределения электрофизических свойств в объеме такого материала ниже, чем в случае выращивания методом Чохральского. Метод Чохральского является основным методом получения монокристаллов кремния. Установки для выращивания кристаллов кремния полностью автоматизированы и снабжены системами прецизионного поддержания постоянного диаметра слитка. Основным недостатком метода Чохральского при выращивании полупроводникового кремния является загрязнение выращиваемых монокристаллов кислородом и примесями, содержащимися в кварцевых тиглях, из которых обычно производится вытягивание слитка. Для управления электрофизическими свойствами (тип проводимости, удельное сопротивление, время жизни носителей заряда) широко используют процессы легирования электрически активными примесями. Основными легирующими примесями при получении монокристаллов электронного типа проводимости являются P, As, Sb, а при получении монокристаллов дырочного типа проводимости - B и Al. Эти примеси образуют в кремнии твердые растворы замещения и обладают достаточно высокой растворимостью (1018-1019 ат.см-3) в широком интервале температур. Растворимость их носит ретроградный характер с максимумом при температурах 1200-1350 оС. Легирование может быть осуществлено как непосредственно в процессе выращивания, так и на стадиях последующих обработок. Легирование в процессе выращивания производят либо с помощью специальных лигатур сплавов кремния с легирующей примесью, либо из паровой фазы легколетучих соединений легирующей примеси. Для обеспечения равномерного распределения легирующей примеси в объеме кристалла применяют вытягивание из двойного (плавающего) тигля, эффект компенсации накопления примеси в расплаве ее испарением (для летучих примесей), а также различные варианты магнитогидродинамического (МГД) воздействия на расплав с целью управления массопотоками в расплавленной ванне.
Основными структурными дефектами в монокристаллах бездислокационного кремния являются микродефекты (см. МИКРОДЕФЕКТЫ). Именно ростовые микродефекты, содержащиеся в пластинах кремния, оказывают наиболее существенное влияние на рабочие характеристики ультра сверхбыстрых интегральных схем (УСБИС). Наибольшее отрицательное влияние на параметры УСБИС оказывают межузельные дислокационные петли и поры. Основную роль в образовании ростовых микродефектов выращиваемых методом Чохральского монокристаллах играют собственные точечные дефекты (см. ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ) (СТД) - вакансии и междоузельные атомы, а также кислород. Наличие преципитатов, например, фазы SiO2 в Si приводит к образованию механических напряжений и, следовательно, возможному появлению микротрещин.
Применение полупроводникового кремния
Кремний находит широкое применений в микроэлектронике (см. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА). На его основе осуществляется производство УСБИС с динамической памятью на 256 Мбит-1Гбит и микропроцессоры с тактовыми частотами на уровне 0,5-1,0 ГГЦ. Усложнение УСБИС сопровождается ужесточением требований к качеству пластин (общая и локальная плоскостность, снижение уровня поверхностного загрязнения, повышение структурного совершенства и однородности исходного материала) при одновременном увеличении их диаметра и снижении стоимости. Резкое увеличение плотности монтажа и уменьшение размеров рабочих элементов УСБИС обусловливает необходимость снижения рабочих токов и напряжений. В этих условиях существенно возрастает роль посторонних шумов. В связи с этим возрастают требования к чистоте, структурному совершенству и микронеоднородности активной области приборной композиции. Особенно высоки требования по содержанию примесей, способных образовывать электрически- и рекомбинационноактивные центры.
В силовой электронике к мощным диодам и тиристорам на основе кремния добавилась широкая гамма мощных транзисторов и разнообразных «силовых» интегральных схем. Сильноточные кремниевые электронные устройства успешно используются для передачи электроэнергии на большие расстояния с минимальными потерями, в энергоемких металлургических и химических производствах, на транспорте, в системах электропривода и электропитания. В солнечной энергетике используются солнечные батареи на основе кремния. Суммарная мощность электроэнергии, вырабатываемой кремниевыми солнечными батареями, превысила уровень тысячи мегаватт. В оптоэлектронике кремний используется в разнообразных сенсорных устройствах, прецизионных микромеханических системах.
Кремний является непрямозонным полупроводником, эффективность межзонной излучательной рекомбинации в нем очень низка. Легирование кремния эрбием позволяет формировать в кристаллической решетке эффективные центры излучательной рекомбинации. Одним из направлений создания эффективных излучателей является наращивание на кремниевые подложки гетероэпитаксиальных структур прямозонных соединений АIIIВV (GaAs, InGaAs).
Для изготовления волноводов используют структуры Si/SiO2, имеющие разницу в величинах коэффициентов преломления составляющих компонентов равную 2, что обеспечивает условие надежного оптического ограничения. В таком волноводе свет распространяется по тонкому слою монокристаллического кремния, который прозрачен для излучения с длиной волны =1,3-1,55 мкм. Данная волноводная структура обеспечивает надежную связь (с минимальными оптическими потерями) с излучателем и фотоприемником.
Элемента́рные фу́нкции - класс функций, в который входят многочлены, рациональные, показательные, логарифмические, тригонометрические и обратные тригонометрические функции, а также функции, получающиеся из перечисленных выше с помощью четырёх арифметических действий и суперпозиций (образования сложной функции), применяемых конечное число раз.
* * *
ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ФУНКЦИИ - ЭЛЕМЕНТА́РНЫЕ ФУ́НКЦИИ, класс функций, в который входят многочлены, рациональные, показательные, логарифмические, тригонометрические и обратные тригонометрические функции, а также функции, получающиеся из перечисленных выше с помощью четырех арифметических действий и суперпозиций (образования сложной функции), применяемых конечное число раз.
ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ функции - класс функций, в который входят многочлены, рациональные, показательные, логарифмические, тригонометрические и обратные тригонометрические функции, а также функции, получающиеся из перечисленных выше с помощью четырех арифметических действий и суперпозиций (образования сложной функции), применяемых конечное число раз.
Элемента́рные части́цы - мельчайшие известные частицы физической материи. Представления об элементарных частицах отражают ту степень в познании строения материи, которая достигнута современной наукой. Характерная особенность элементарных частиц - способность к взаимным превращениям; это не позволяет рассматривать элементарные частицы как простейшие, неизменные «кирпичики мироздания», подобные атомам Демокрита. Число частиц, которые называются в современной теории элементарными, очень велико. Каждая элементарная частица (за исключением истинно нейтральных частиц) имеет свою античастицу. Всего вместе с античастицами открыто более 350 элементарных частиц. Из них стабильны фотон, электронное и мюонное нейтрино, электрон, протон и их античастицы; остальные элементарные частицы самопроизвольно распадаются за время от ≈103 с для свободного нейтрона до 10-22-10-24 с для резонансов. Однако нельзя считать, что нестабильные элементарные частицы «состоят» из стабильных хотя бы потому, что одна и та же частица может распадаться несколькими способами на различные элементарные частицы.
Классификация элементарных частиц производится по типам фундаментальных взаимодействий, в которых они участвуют, и на основе законов сохранения ряда физических величин. Отдельную «группу» составляет фотон. Частицы со спином 1/2, не участвующие в сильном взаимодействии и обладающие сохраняющейся внутренней характеристикой - лептонным зарядом, образуют группу лептонов. Элементарные частицы, участвующие во всех фундаментальных взаимодействиях, включая сильное, называются адронами. Характерным для адронов сильным взаимодействиям свойственно максимальное число сохраняющихся величин (законов сохранения), в том числе специфических для них - барионного заряда, странности, изотопического спина, «очарования». Адроны делятся на барионы и мезоны. По современным представлениям, адроны имеют сложную внутреннюю структуру: барионы состоят из 3 кварков, мезоны - из кварка и антикварка. При столкновениях элементарных частиц происходят всевозможные превращения их друг в друга (включая рождение многих дополнительных частиц), не запрещаемые законами сохранения. Последовательная теория элементарных частиц, которая предсказывала бы возможные значения масс элементарных частиц и другие их внутренние характеристики, ещё не создана.
* * *
ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ЧАСТИЦЫ - ЭЛЕМЕНТА́РНЫЕ ЧАСТИ́ЦЫ, мельчайшие известные частицы физической материи. Представления об элементарных частицах отражают ту степень в познании строения материи, которая достигнута современной наукой. Характерная особенность элементарных частиц - способность к взаимным превращениям; это не позволяет рассматривать элементарные частицы как простейшие, неизменные «кирпичики мироздания», подобные атомам Демокрита. Число частиц, называемых в современной теории элементарными частицами, очень велико. Каждая элементарная частица (за исключением абсолютно нейтральных частиц) имеет свою античастицу. Всего вместе с античастицами открыто (на 1978) более 350 элементарных частиц. Из них стабильны фотон, электронное и мюонное нейтрино, электрон, протон и их античастицы; остальные элементарные частицы самопроизвольно распадаются за время от 103 с для свободного нейтрона до 10-22 - 10-24 с для резонансов. Однако нельзя считать, что нестабильные элементарные частицы «состоят» из стабильных хотя бы потому, что одна и та же частица может распадаться несколькими способами на различные элементарные частицы.
Классификация элементарных частиц производится по типам фундаментальных взаимодействий, в которых они участвуют, и на основе законов сохранения ряда физических величин. Отдельную «группу» составляет фотон. Частицы со спином 1/2, не участвующие в сильном взаимодействии и обладающие сохраняющейся внутренней характеристикой - лептонным зарядом, образуют группу лептонов. Элементарные частицы, участвующие во всех фундаментальных взаимодействиях, включая сильное, называются адронами. Характерным для адронов сильным взаимодействиям свойственно максимальное число сохраняющихся величин (законов сохранения), в т. ч. специфического для них - барионного заряда, странности, изотопического спина, «очарования». Адроны делятся на барионы и мезоны. По современным представлениям, адроны имеют сложную внутреннюю структуру: барионы состоят из 3 кварков, мезоны - из кварка и антикварка. При столкновениях элементарных частиц происходят всевозможные превращения их друг в друга (включая рождение многих дополнительных частиц), не запрещаемые законами сохранения. Последовательная теория элементарных частиц, которая предсказывала бы возможные значения масс элементарных частиц и другие их внутренние характеристики, еще не создана.
ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ частицы - мельчайшие известные частицы физической материи. Представления об элементарных частицах отражают ту степень в познании строения материи, которая достигнута современной наукой. Характерная особенность элементарных частиц - способность к взаимным превращениям; это не позволяет рассматривать элементарные частицы как простейшие, неизменные "кирпичики мироздания", подобные атомам Демокрита. число частиц, называемых в современной теории элементарными частицами, очень велико. Каждая элементарная частица (за исключением абсолютно нейтральных частиц) имеет свою античастицу. Всего вместе с античастицами открыто более 350 элементарных частиц.
Из них стабильны фотон, электронное и мюонное нейтрино, электрон, протон и их античастицы; остальные элементарные частицы самопроизвольно распадаются за время от 103 с для свободного нейтрона до 10-22 - 10-24 с для резонансов. Однако нельзя считать, что нестабильные элементарные частицы "состоят" из стабильных хотя бы потому, что одна и та же частица может распадаться несколькими способами на различные элементарные частицы. Классификация элементарных частиц производится по типам фундаментальных взаимодействий, в которых они участвуют, и на основе законов сохранения ряда физических величин. Отдельную "группу" составляет фотон. частицы со спином 1/2, не участвующие в сильном взаимодействии и обладающие сохраняющейся внутренней характеристикой - лептонным зарядом, образуют группу лептонов. Элементарные частицы, участвующие во всех фундаментальных взаимодействиях, включая сильное, называются адронами. Характерным для адронов сильным взаимодействиям свойственно максимальное число сохраняющихся величин (законов сохранения), в т. ч. специфического для них - барионного заряда, странности, изотопического спина, "очарования". адроны делятся на барионы и мезоны. По современным представлениям, адроны имеют сложную внутреннюю структуру: барионы состоят из 3 кварков, мезоны - из кварка и антикварка. При столкновениях элементарных частиц происходят всевозможные превращения их друг в друга (включая рождение многих дополнительных частиц), не запрещаемые законами сохранения. Последовательная теория элементарных частиц, которая предсказывала бы возможные значения масс элементарных частиц и другие их внутренние характеристики, еще не создана.
ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ЧАСТИЦЫ, общее название мельчайших частиц материи на следующем (после ядер) уровне строения материи (субъядерные частицы). К элементарным частицам относятся протон (p), нейтрон (n), электрон (e), фотон (g), нейтрино (n) и др. и их античастицы. Все элементарные частицы делятся на 2 группы - адроны и лептоны (кроме фотона). Адроны не удовлетворяют строгому определению элементарности, т.к., по современным представлениям, являются составными - состоят из кварков. Всего известно более 350 элементарных частиц, большинство из них нестабильно. Число их продолжает расти.
прил.
1. соотн. с сущ. элемент V, связанный с ним
2. Характеризующий основы чего-либо; начальный.
3. Понятный каждому; простейший.
ЭЛЕМЕНТА́РНЫЙ - прил., употр. сравн. часто
Морфология: элемента́рен, элемента́рна, элемента́рно, элемента́рны; элемента́рнее; нар. элемента́рно
1. Элементарными знаниями называется система самых основных, существенных, важных понятий по какому-либо учебному или научному предмету, после усвоения которых человек может переходить к более сложным уровням.
Элементарная теория музыки. | Элементарная теория вероятности. | Элементарная теория простых чисел.
2. Элементарными называют явление, процесс и т. п., которые понимаются людьми как несложные, простейшие, доступные каждому.
Элементарные истины. | Суть этого явления элементарна.
3. В математике элементарной задачей называется такая задача, решение которой уже известно из имеющегося у людей опыта решения задач.
4. Элементарным называется самый необходимый, основной, минимальный объект, который составляет основу для более сложного.
Элементарный слог. | Элементарный графический объект. | Элементарный смысловой компонент. | Элементарная ячейка.
5. То, что является привычным, само собой разумеющимся, можно назвать элементарным.
Элементарные правила поведения. | Элементарная порядочность. | У вас нет элементарной чуткости.
6. Вы называете элементарным то, что, по вашему мнению, выглядит слишком ограниченным, примитивным.
Слишком элементарный взгляд на вещи. | Грубая, элементарная натура.
7. Элементарные частицы - это мельчайшие из известных в физике частиц материи: ионы, электроны и т. п.
Физика элементарных частиц. | Элементарные частицы материи по своей природе представляют собой не что иное, как сгущения электромагнитного поля.
элемента́рность сущ., ж.
ЭЛЕМЕНТА́РНЫЙ, элементарная, элементарное; элементарен, элементарна, элементарно.
1. только полн. прил. к элемент в 1, 3 и 8 знач. (спец. научн.). Элементарный состав топлива. Элементарный анализ (хим.).
2. только полн. Начальный, касающийся только основ, элементов (см. элемент во 2 знач.; книжн.). Элементарная математика (отделы математики, преподаваемые в средней школе; ант. высшая). Элементарное образование. Иметь элементарные сведения о чем-нибудь. Быть элементарно (нареч.) грамотным.
3. перен. Простейший, понятный всякому, сам собою разумеющийся, не требующий разъяснений (книжн.). Соблюдать элементарные правила вежливости. Элементарный пример. Это - элементарная вещь. Это так элементарно.
|| Самый основной, минимально необходимый. Элементарное условие.
4. Слишком простой, поверхностный, ограниченный. Элементарный подход к делу (книжн.). Элементарный взгляд на вещи. Элементарно (нареч.) подойти к чему-нибудь.
Элементарный
-ая, -ое; -рен, -рна
1) полн. ф. Начальный, касающийся основ чего-л.
Элементарная математика.
Элементарное понятие о частях речи.
Элементарное образование.
Я проклял классицизм филологии, который выбил из головы моей даже столь элементарные истины физической науки (Соловьев).
Синонимы:
первонача́льный
2) перен. Простейший, такой, который должен быть известен, понятен каждому.
Элементарные правила поведения.
Вера не могла понять самых элементарных вещей, касающихся устройства автомобиля (Антонов).
Синонимы:
а́збучный, общеизве́стный, прописно́й
3) перен., полная форма Самый необходимый.
Элементарные условия.
Сила и храбрость - это элементарные качества бойца (Сельвинский).
Синонимы:
ну́жный
4) полн. ф. спец. Простейший, наименьший из известных.
Элементарные частицы (мельчайшие известные нам частицы материи: фотоны, протоны, электроны и т. д.).
Элементарный электрический заряд.
5) перен. Не представляющий трудности для выполнения, осуществления, а также для понимания, усвоения и т. п.
Элементарная проблема.
Пусть этим делом занимаются специалисты. А для себя я хотел бы иметь какую-то элементарную книжку, понятную, как таблица умножения (Зыков).
Синонимы:
несло́жный, нетру́дный, просто́й, упрощенный
Антонимы:
сло́жный, тру́дный
Родственные слова:
элемента́рно, элемента́рность
Этимология:
От французского élémentaire (← лат. elementum ‘первоначало’, ‘стихия’). В русском языке - с XVIII в.
ЭЛЕМЕНТА́РНЫЙ -ая, -ое; -рен, -рна, -рно.
1. только полн. Начальный, касающийся только основ чего-л. Э-ая математика. Э. курс чего-л. Э-ое образование.
2. Несложный, простейший; понятный каждому. Э-ые истины. Суть этого явления элементарна.
3. только полн. Самый необходимый, основной; минимальный. Э-ое условие. Э-ые правила поведения. Э-ое знание дела. // Обычный, обыкновенный. У вас нет элементарной чуткости. Э-ая порядочность.
4. Ограниченный, упрощённый. Э. взгляд на вещи. Э-ая натура. Э. ответ.
5. только полн. Спец. Связанный с определением состава элементов в чём-л. и их соотношения между собой. Э. анализ. Э. состав вещества.
6. только полн. Физ. Простейший, наименьший из известных, из имеющихся. Э-ые частицы (мельчайшие известные нам частицы материи: фотоны, протоны, электроны и т.п.). Э. электрический заряд (наименьший электрический заряд, известный в природе).
◁ Элемента́рно, нареч. (2-4 зн.). Э. необходимый предмет. Э. ответить. Надо извиниться, это э. Элемента́рность, -и; ж. (2-4 зн.). Э. рассказа. Э. чувств. Э. задачи.
* * *
элемента́рный (лат. elementarius), первоначальный, простейший, основной.
-ая, -ое; -рен, -рна, -рно.
1. только полн. ф.
Начальный, касающийся только основ чего-л.
Элементарная математика.
◊
Гувернер успел познакомить меня с элементарными основаниями физической географии. Морозов, Повести моей жизни.
2. Нетрудный, несложный, простейший.
- Пусть этим делом занимаются специалисты. А для себя я хотел бы иметь какую-то элементарную книжку, понятную, как таблица умножения. Зыков, Три аксиомы.
||
Само собой разумеющийся, понятный всякому без разъяснений.
[Гарри:] Дорогая мама! Когда входят, нужно постучаться. Это элементарно. А. Н. Толстой, Делец.
||
Ограниченный, упрощенный.
Элементарный взгляд на вещи.
◊
- Ты так противно элементарен душою, ты мещанин до мозга костей! Вересаев, К жизни.
3. только полн. ф., перен.
Самый необходимый, основной.
Элементарное условие.
◊
Без имени и глагола невозможно выразить никакого понятия; без прочих частей речи можно обойтись. Следовательно, имя и глагол суть части речи элементарные, первостепенные. Белинский, Грамматика русского языка.
Сила и храбрость - это элементарные качества бойца. Сельвинский, Я буду говорить о стихах.
4. только полн. ф. хим.
Связанный с определением состава элементов в чем-л. и их соотношения между собой.
Элементарный анализ. Элементарный состав вещества.
5. только полн. ф. физ.
Простейший, наименьший из известных, из имеющихся.
Элементарные частицы (мельчайшие известные нам частицы материи: фотоны, протоны, электроны и т. д.).
Элементарный электрический заряд (наименьший электрический заряд, известный в природе).
элементарный (иноск.) - основной, начальный
Элементарные школы - начальные, где учат первым, начальным основаниям наук
Ср. Необходимо... образование наших коммерсантов, даже мелких... необходимо в образование (это) ввести хотя бы элементарные знания политической экономии...
Л.Е. Оболенский. Замечательный анахронизм. ("Новости" 17 июня 1898 г.).
Ср. Elementum - стихия, основания, начала (наук).
См. азбука.
См. азбучные истины.
элемента́рный, элемента́рная, элемента́рное, элемента́рные, элемента́рного, элемента́рной, элемента́рных, элемента́рному, элемента́рным, элемента́рную, элемента́рною, элемента́рными, элемента́рном, элемента́рен, элемента́рна, элемента́рно, элемента́рны, элемента́рнее, поэлемента́рнее, элемента́рней, поэлемента́рней
прил., кол-во синонимов: 51
азбучный (30)
атомарный (3)
банальный (35)
безыскусный (30)
безыскуственный (27)
бесхитростный (44)
будничный (21)
естественный (49)
избитый (101)
легкий (181)
минимальный (7)
наименьший (6)
начальный (18)
не замысловатый (28)
незамысловатый (18)
незатейливый (37)
незатейный (21)
немудреный (26)
непринужденный (22)
неприхотливый (40)
несложный (41)
нетрудный (23)
нетяжелый (18)
неусложненный (9)
нехитрый (39)
общеизвестный (22)
обыкновенный (60)
обычный (97)
однозначный (33)
одномерный (5)
основной (58)
первобытный (49)
первоначальный (19)
поверхностный (32)
примитивный (60)
простейший (17)
простецкий (26)
простой (137)
пустяковый (44)
самый маленький (10)
самый малый (7)
самый простой (3)
скромный (72)
схематический (10)
схематичный (16)
упрощенный (27)
упрощенческий (11)
хрестоматийный (21)
1. о сведениях, знаниях: начальный, первоначальный
2. см. общеизвестный.
3. см. упрощённый.
4. см. лёгкий 2
прил.
1.
азбучный
простой
примитивный
тривиальный
2.
легкий
нетрудный
несложный
простой
нехитрый
немудреный
пустяковый
посильный
не составляющий труда
не составляющий никакого труда
не составляющий ни малейшего труда
не представляющий трудности
не представляющий никакой трудности
не представляющий ни малейшей трудности
не представляющий трудности в обращении, выполнении)
См. простой...
1.
Syn: азбучный, простой, примитивный (усил.), тривиальный (кн., усил.), легкий, нетрудный, несложный, посильный (кн.)
Ant: сложный, трудный, тяжелый, непростой, нетривиальный, нелегкий
2.
Syn: базовый, основной, атомарный
Ant: сложный, составной
элементарный I
характеризующий основы чего-либо; начальный
понятный каждому; простейший
элементарный II
связанный, соотносящийся по значению с существительным элемент; состоящий из атомов лишь одного элемента
элемента́рный
начиная с Петра I; см. Смирнов 349. Через нем. еlеmеntаr - то же или польск. elementarny из лат. elementārius "относящийся к основам" (Шульц I, 169).
ЭЛЕМЕНТАРНЫЙ ая, ое. élémentaire adj.<, лат. elementarius.
1. Начальный, касающийся только основ чего-л. БАС-1. Умному человеку необходимо нужных словесных наук, также математики по последней мере элемантарной и философии не разумеют. 1759. П. И. Рычков. // ОРЯС 1867 2 № 1 42. Они равны, что доказывается равными успехами детей того и другого сословия в элементарных классах, но после чрезмерная разница. апр. 1872. М. К. Цебрикова - М. М. Стасюлевичу. // С. 5 156. Требования для поступавших в приготовительный класс были самые ограниченные.. Из русского языка - правильно читать и писать и элементарные понятие о частях речи; из арифметики - первые четыре правила. Салт. Пошехон. старина. Элементарное образование. Уш. 1940.
2. устар. Природный, стихийный. Я следовал с постоянным вниманием за движением социализма, особенно коммунизма.. видел в нем юную, элементарную, себя еще не осознающию силу, призванную или обновить или разрушить вконец западные государства. М. Бакунин - Николаю I. // Алекс. равелин 1 258.
3. Простейший, несложный. БАС-1. Соблюдать элементарные правила вежливости. Элементарный пример. Это - элементарная вещь. Уш. 1940. || Самый основной, минимально необходимый. Элементарное условие. Уш. 1940. Двое его сыновей с детства учились ему помогать и образование получили самое элементарное. Вербицкая Дух времени 39. Элементарные потребности человека.
4. Слишком простой, поверхностный, ограниченный. Элементарный подход к делу. Элементарный взгляд на вещи. Уш. 1940. - Ты так противно элементарен душою, ты мещанин до мозга костей. Вересаев К жизни.
5. В химии - связанный с определением состава элементов в чем-л. и их соотношениям между собой. Элементарный состав нефти. Элементарный анализ. БАС-1.
6. В физике - наименьший их известных, из имеющихся. Элементарные волны. Элементарный заряд. ♦ Элементарные частицы. Простейшие частицы, из которых состоит вещество. БАС-1. Элементарно, нареч. - Лекс. САН 1847: элемента/рный.
ЭЛЕМЕНТАРНЫЙ (лат.) 1) к элементу относящейся. 2) первоначальный, основной, излагающий первые основания какой-либо науки.
элементарный смысл - простейшее значение, постигаемое разумом, которое должно быть известно каждому. То же, что семантический компонент.
Элемента́рный электри́ческий заря́д (е), минимальный электрический заряд, положительный или отрицательный, величина которого е≈4,8·10-10 единиц СГСЭ, или 1,6·10-19 Кл. Почти все заряженные элементарные частицы имеют заряд +е или -е (исключение - некоторые резонансы с зарядом, кратным е); частицы с дробными электрическими зарядами не наблюдались, однако в современной теории сильного взаимодействия - квантовой хромодинамике - предполагается существование кварков - частиц с зарядами, кратными 1/3 е.
* * *
ЭЛЕМЕНТАРНЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЗАРЯД - ЭЛЕМЕНТА́РНЫЙ ЭЛЕКТРИ́ЧЕСКИЙ ЗАРЯ́Д (е), минимальный электрический заряд, положительный или отрицательный, равный величине заряду электрона.
Предположение о том, что любой наблюдаемый в эксперименте электрический заряд всегда кратен элементарному, было высказано Б. Франклином (см. ФРАНКЛИН Бенджамин) в 1752 г. Благодаря опытам М. Фарадея (см. ФАРАДЕЙ Майкл) по электролизу величина элементарного заряда была вычислена в 1834 г. На существование элементарного электрического заряда также указал в 1874 г. английский ученый Дж.Стони. Он же ввел в физику понятие «электрон» и предложил способ вычисления значения элементарного заряда. Впервые экспериментально элементарный электрический заряд был измерен Р. Милликеном (см. МИЛЛИКЕН Роберт Эндрус) в 1908 г.
Материальными носителями элементарного электрического заряда в природе являются заряженные элементарные частицы (см. ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ЧАСТИЦЫ).
Электрический заряд (см. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЗАРЯД) любой микросистемы и макроскопических тел всегда равен алгебраической сумме элементарных зарядов, входящих в систему, то есть целому кратному от величины е (или нулю).
Установленное в настоящее время значение абсолютной величины элементарного электрического заряда (см. ЭЛЕМЕНТАРНЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЗАРЯД) составляет е = (4,8032068 0,0000015).10-10 единиц СГСЕ, или 1,60217733.10-19Кл. Вычисленная по формуле величина элементарного электрического заряда, выраженная через физические константы, дает значение для элементарного электрического заряда: e = 4,80320419(21).10-10, или: е =1,602176462(65). 10-19Кл.
Считается, что этот заряд действительно элементарен, то есть он не может быть разделен на части, а заряды любых объектов являются его целыми кратными. Электрический заряд элементарной частицы является ее фундаментальной характеристикой и не зависит от выбора системы отсчета. Элементарный электрический заряд в точности равен величине электрического заряда электрона, протона и почти всех других заряженных элементарных частиц, которые тем самым являются материальными носителями наименьшего заряда в природе.
Существует положительный и отрицательный элементарный электрический заряд, причем элементарная частица и ее античастица имеют заряды противоположных знаков. Носителем элементарного отрицательного заряда является электрон , масса которого me = 9,11.10-31кг. Носителем элементарного положительного заряда является протон, масса которого mp = 1, 67.10-27кг.
Тот факт, что электрический заряд встречается в природе лишь в виде целого числа элементарных зарядов, можно назвать квантованием электрического заряда. Почти все заряженные элементарные частицы имеют заряд е- или е+ (исключение - некоторые резонансы с зарядом, кратным е); частицы с дробными электрическими зарядами не наблюдались, однако в современной теории сильного взаимодействия - квантовой хромодинамике - предполагается существование частиц - кварков - с зарядами, кратными 1/3 е.
Элементарный электрический заряд не может быть уничтожен; этот факт составляет содержание закона сохранения электрического заряда на микроскопическом уровне. Электрические заряды могут исчезать и возникать вновь. Однако всегда возникают или исчезают два элементарных заряда противоположных знаков.
Величина элементарного электрического заряда является константой электромагнитных взаимодействий и входит во все уравнения микроскопической электродинамики.
ЭЛЕМЕНТАРНЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ заряд (е) - минимальный электрический заряд, положительный или отрицательный, величина которого е ~ 4,8.10-10 единиц СГСЭ, или 1,6.10-19 Кл. Почти все заряженные элементарные частицы имеют заряд е или -е (исключение - некоторые резонансы с зарядом, кратным е); частицы с дробными электрическими зарядами не наблюдались, однако в современной теории сильного взаимодействия - квантовой хромодинамике предполагается существование частиц с зарядами, кратными 1/3 е (кварков).