Кре́мния карби́д - то же, что карборунд.

* * *

КРЕМНИЯ КАРБИД - КРЕ́МНИЯ КАРБИ́Д (карборунд), SiC. Чистый карбид кремния стехиометрического состава - бесцветные кристаллы с алмазным блеском. Технический SiC может иметь разнообразную окраску: белую, серую, желтую, зеленую и черную. Цвет материала зависит от сырья и технологии получения кристаллов и определяется как типом и количеством примеси, так и степенью отклонения состава от стехиометрического. Карбид кремния кристаллизуется в двух модификациях: при температурах менее 2000^оС - в кубической типа сфалерита (b-SiC) (см. структурные типы кристаллов), и при более высоких температурах - в гексагональной (a-SiC). Для высокотемпературной гексагональной модификации карбида кремния характерно явление политипизма: обнаружено более 50 политипных модификаций a-SiC.

Свойства карбида кремния

Карбид кремния - единственное полупроводниковое бинарное соединение А^IVВ^IV. Тип связи - ковалентный (см. КОВАЛЕНТНАЯ СВЯЗЬ), доля ионной составляющей порядка 10%. Ширина запрещенной зоны (см. ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА) для кристаллов SiC составляет 2,39 эВ, для различных модификаций SiC ширина запрещенной зоны может иметь значение в пределах от 2,72 до 3,34 эВ. Большие значения ширины запрещенной зоны позволяют создавать на его основе полупроводниковые приборы, сохраняющие работоспособность при температурах до 600^оС. Собственная электропроводность из-за большой ширины запрещенной зоны наблюдается лишь при температурах выше 1400^оС. Подвижность носителей заряда низкая. Монокристаллы карбида кремния, легированные примесями элементов V группы (азот, фосфор, мышьяк, сурьма, висмут), а также литием и кислородом имеют n-тип проводимости и зеленую окраску. Элементы III группы (бор, алюминий, галлий, индий) и элементы II группы (бериллий, магний, кальций) являются акцепторами (см. АКЦЕПТОР). При этом кристаллы имеют p-тип проводимости и голубую или черную окраску. В случае отклонения состава от стехиометрического в сторону кремния кристаллы обладают электропроводностью n-типа, в случае избытка углерода - p-типа.

Карбид кремния тугоплавок (t_пл 2830°С), химически стоек, по твердости уступает лишь алмазу и нитриду бора: твердость по МООСу - 9,1 - 9,5; микротвердость 3300-3600 кгс/мм². Карбид кремния обладает высокой термической, химической и радиационной стойкостью, выделяется своей устойчивостью к окислению среди многих окалиностойких сплавов и химических соединений. Заметно окисляется только при температурах выше 800^оС. Карбид кремния химически стоек и в других средах. Он не реагирует с минеральными кислотами любых концентраций, включая и плавиковую кислоту. При комнатной температуре химически взаимодействует с ортофосфорной и кислотой и смесью азотной и фтористоводородной кислот при температуре 200^оС. Водяной пар реагирует с карбидом кремния по реакции:

SiC + 2H₂O=SiO₂ + CH₄

только начиная с 1300-1400^оС.

Вплоть до 1100^оС с карбидом кремния совершенно не взаимодействует азот. Инертен он также в среде водорода и углекислого газа. В среде хлора теряет устойчивость при сравнительно низких температурах, разлагаясь по реакциям:

SiC + 2Cl₂ = SiCl₄ + C при 100^оС;

SiC + 4Cl₂ = SiCl₄ + CCl₄ при 1000^оС.

Карбид кремния активно разлагается с образованием соответствующих силикатов при сплавлении с едкими и углекислыми щелочами и перекисями.

Получение карбида кремния

Поликристаллический карбид кремния получают в электрических печах при температуре 1800-2300^оС путем восстановления двуокиси кремния углеродом:

SiO₂ + 3C = SiC + 2CO

В качестве сырья при производстве технического карбида кремния используется кварцевый песок с минимальным содержанием примесей и малозольный кокс или антрацит, или нефтяной кокс. Для повышения газопроницаемости шихты в нее иногда вводят древесные опилки. В шихту также вводят поваренную соль, количество которой влияет на цвет карборунда.

Из-за высоких значений температуры и давления, при которых существует расплав карбида кремния, классические методы получения из него монокристаллов не применимы. Используют методы выращивания кристаллов SiC из газовой фазы или из растворов в расплаве. Большое распространение получил метод сублимации. В этом методе рост кристаллов карбида кремния происходит из газовой фазы в графитовых тиглях в атмосфере инертных газов при температуре 2500-2600^оС. Эпитаксиальные слои и твердые растворы на основе карбида кремния можно получать всеми известными методами, используемыми в полупроводниковой технологии. Технология формирования структур карбида кремния на подложках кремния принципиально не отличается от процессов получения кремниевых пленок. Гетероэпитаксиальные слои выращиваются методом газофазной эпитаксии в открытой системе. В качестве газа-носителя используется водород диффузионной очистки; в первой зоне свободный углерод связывается с водородом и переносится в зону роста полупроводниковой пленки.

Применение карбида кремния

Монокристаллический SiC используют для изготовления радиационностойких светодиодов, обладающих очень высокой надежностью и стабильностью работы. Его можно использовать для изготовления высокотемпературных силовых полупроводниковых приборов, полевых транзисторов, туннельных диодов, счетчиков частиц высокой энергии, терморезисторов,

Из поликристаллического SiC выращивают монокристаллы или путем дробления получают порошки. Поликристаллический SiC используют в производстве нелинейных резисторов (варисторов (см. ВАРИСТОР)). Для этих целей изготавливают многофазовые материалы на основе порошкообразного SiC, скрепленного связующим веществом. Кроме того, на основе порошкообразного SiC производят высокотемпературные нагреватели, ингитронные поджигатели и волноводные поглотители, а на основе пленок аморфного SiC - светодиоды и солнечные элементы. SiC является перспективным полупроводниковым материалом для высокотемпературной и высокочастотной электроники.

Благодаря высокой химической стабильности, огнеупорности и износостойкости карбид кремния находит широкое применение в качестве огнеупора в металлургической промышленности. Применяется в машиностроении для футеровки термических печей; в химическом аппаратостроении, где он подвержен абразивному воздействию твердых пылевидных продуктов в газовых потоках. Используется для изготовления коррозионно- и эрозионностойких сопельных вставок, насадок и распылителей; для изготовления деталей теплообменной аппаратуры и деталей насосов для перекачки кислых растворов и других коррозионноактивных жидкостей. Огнеупорные изделия, а также изделия конструкционного назначения на основе карбида кремния изготовляются с использованием различного вида связок - керамических, кремния, нитрида кремния. Интересно использование карбида кремния в электротехнике - для изготовления нагревателей высокотемпературных электропечей сопротивления (силитовые стержни), грозоразрядников для линий передачи электрического тока, нелинейных сопротивлений, в составе электроизолирующих устройств и т. д.

Благодаря высокой твердости, химической устойчивости и износостойкости карбид кремния широко применяется как абразивный материал (см. АБРАЗИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ) (при шлифовании (см. ШЛИФОВАНИЕ)), для резания твердых материалов, точки инструментов.

Составить слова из слова кремния карбид

Полупроводнико́вые материа́лы - полупроводники, применяемые для изготовления электронных приборов и устройств. Используют главным образом кристаллические полупроводниковые материалы (например, легированные монокристаллы кремния или германия, химические соединения некоторых элементов III и V, II и VI групп периодической системы). Всё большее значение приобретают твердые аморфные полупроводниковые вещества и органические полупроводники.

* * *

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ - ПОЛУПРОВОДНИКО́ВЫЕ МАТЕРИА́ЛЫ, обширный класс материалов, проявляющих полупроводниковые (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ) свойства. В него входят сотни самых разнообразных веществ - как элементов, так и химических соединений. По мнению основоположника полупроводникового материаловедения акад. А. Ф. Иоффе (см. ИОФФЕ Абрам Федорович), «полупроводники - это почти весь окружающий нас неорганический мир». Несмотря на существенные различия в строении и химическом составе, материалы этого класса роднит одно качество - способность сильно изменять свои электрические свойства под влиянием небольших внешних энергетических воздействий. Полупроводниковые свойства проявляют не только неорганические вещества, существует обширный класс органических полупроводников.

По химическому составу полупроводниковые материалы разделяют на простые элементарные полупроводники и сложные полупроводники - полупроводниковые соединения. Широкое применение в полупроводниковой промышленности находят не только монокристаллические, но и поликристаллические полупроводники, а также аморфные и стеклообразные полупроводники.

Простыми полупроводниковыми материалами являются 12 химических элементов, находящихся в средней части Периодической системы Д. И. Менделеева (см. ПЕРИОДИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ЭЛЕМЕНТОВ МЕНДЕЛЕЕВА). Наиболее широкое применение среди этой группы имеют кремний, германий и селен (см. элементарные полупроводниковые материалы (см. ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ)).

Весьма обширна группа полупроводниковых неорганических соединений, которые могут состоять из двух, трех и большего числа элементов.

Известные в 1940-х гг. полупроводники германий (см. ГЕРМАНИЙ) и кремний (см. КРЕМНИЙ) имели тетраэдрическую структуру, в которой на каждый атом приходится 4 химические связи. Предположение о том, что объединение одного атома с четырьмя другими (алмазоподобная структура), благоприятствует возникновению полупроводниковых свойств, подтвердилось. Представление о «средней четырехвалентности» и «алмазоподобных» полупроводниках оказалось плодотворным для поиска новых полупроводниковых материалов. Многие из алмазоподобных полупроводников образуют твердые растворы, которые также являются полупроводниками, например Ge - Si, GaAs (см. ГАЛЛИЯ АРСЕНИД) - GaP и др.

К алмазоподобным полупроводникам принадлежит большинство важнейших неорганических кристаллических материалов. Бинарные и тройные соединения, у которых на один атом приходится четыре электрона, также обладают полупроводниковыми свойствами. К ним относятся бинарные соединения, образованные атомами из групп периодической системы элементов, равноотстоящих от центральной IV группы таблицы Д. И. Менделеева, названные соединениями типа A^IB^VII, A^IIB^VI, A^IIIB^V. Из многочисленных групп тройных соединений полупроводниковые свойства обнаружены у группы A^IIB^IVC^V2 (ZnSnP₂, CdGeAs₂ и т.п.), также подчиняющейся правилу «четыре электрона на один атом»: (2+4+5*2)/4=4.

Химические соединения получили название сложных полупроводников. Они обозначаются прописными индексами латинского алфавита с верхними и нижними индексами. Верхние индексы применяют для обозначения римскими цифрами номеров групп периодической системы элементов, а нижние - для обозначения арабскими цифрами стехиометрических коэффициентов (числа атомов в соединении). Бинарные соединения называют обычно по наименованию того элемента (компонента соединения), у которого металлические свойства выражены слабее (например, соединение индия с фосфором InP называют фосфидом индия (см. ИНДИЯ ФОСФИД), цинка с серой ZnS - сульфидом цинка и т.д.)

В качестве примеров таких соединений можно привести InSb, Bi₂Te₃, ZnSiAs₂, CuAlS₂, CuGe₂P₃.

Во многих случаях полупроводниковыми свойствами обладают не только простые и сложные полупроводники, но и твердые растворы замещения, образующиеся между ними. Их выражают формулами, в которых нижними индексами x, y и др. обозначают атомную долю элемента в твердом растворе. Например, твердый раствор между кремнием и германием в общем виде выражают формулой Si_xGe_1-x, а между фосфидом индия и арсенидом галлия In_xGa_1-xA_syP_1-y. В твердых растворах путем изменения состава можно плавно и в достаточно широких пределах управлять важнейшими свойствами полупроводников, в частности, шириной запрещенной зоны (см. ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА) и подвижностью носителей заряда (см. ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА).

Полупроводниковые материалы характеризуются следующими основными электрофизическими параметрами: удельным сопротивлением, типом проводимости, шириной запрещенной зоны, концентрацией носителей заряда и их подвижностью, эффективной массой и временем жизни. Ряд характеристик полупроводниковых материалов, например, ширина запрещенной зоны и эффективная масса носителей, относительно слабо зависит от концентрации химических примесей и степени совершенства кристаллической решетки (см. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА). Однако, большинство параметров структурно чувствительны, и в полупроводниковых материалах наблюдается резкая зависимость свойств, прежде всего электрофизических, не только от содержания посторонних примесей, но и от степени совершенства кристаллического строения. Точечные дефекты (см. ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ), как собственные, так и легирующие примеси, определяют концентрацию, тип проводимости, величину удельного сопротивления. Легирование (см. ЛЕГИРОВАНИЕ) полупроводниковых материалов осуществляется с целью получения кристаллов с необходимыми свойствами. Задаваемые свойства варьируются в очень широких пределах и при этом, как правило, необходимо выращивать кристаллы с определенным сочетанием различных свойств (например, оптических и электрофизических), с учетом высокой однородности распределения последних в объеме.

Характер распределения дислокаций (см. ДИСЛОКАЦИИ) и их плотность лимитируются в связи с негативным влиянием дислокаций на многие характеристики полупроводниковых приборов. Точечные дефекты, дислокации, дефекты упаковки и другие нарушения структуры управляют процессами диффузии в материале. Дефекты структуры оказывают существенное влияние на характеристики, а также эксплуатационную надежность полупроводниковых приборов. В связи с этим к совершенству структуры полупроводников предъявляются исключительно высокие требования. В большинстве случаев при выращивании кристаллов (см. МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ) ставится задача получения кристаллов с высокой степенью структурного совершенства.

Требования, предъявляемые к конкретному материалу, определяются его приборным применением. Для создания сверхбольших интегральных схем необходимы кристаллы большого диаметра. Качество создаваемых микроэлектронных устройств в значительной степени зависит от совершенства исходных монокристаллов -кремния (см. КРЕМНИЙ), арсенида галлия (см. ГАЛЛИЯ АРСЕНИД), фосфида индия (см. ИНДИЯ ФОСФИД). Помимо необходимых электрофизических параметров (концентрация носителей заряда, тип проводимости, удельное сопротивление), монокристаллы должны иметь низкую плотность дислокаций (в случае кремния - бездислокационные), и быть однородными по составу.

Полупроводниковые материалы больших диаметров выращивают из расплавов (см. Методы выращивания кристаллов (см. МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ)). Основных методом их получения является метод Чохральского. В технологии кремния также используется метод бестигельной зонной плавки (см. ЗОННАЯ ПЛАВКА), а в технологии полупроводниковых соединений - метод направленной кристаллизации. Основными структурными дефектами в монокристаллах полупроводников являются дислокации, примесные неоднородности, микродефекты (см. МИКРОДЕФЕКТЫ), собственные точечные дефекты (см. ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ) структуры и их скопления.

Развитие полупроводниковой опто- и микроэлектроники привело к широкому использованию полупроводниковых соединений. Взаимодействие различных соединений друг с другом приводит к образованию твердых растворов, что дает возможность путем изменения состава раствора получать материалы с заранее заданными свойствами. Основным методом получения таких структур является эпитаксия (см. ЭПИТАКСИЯ). Различные методы эпитаксии позволяют получать тонкие и сверхтонкие однослойные и многослойные полупроводниковые структуры разнообразной геометрии с широкой вариацией состава и электрофизических свойств по толщине и поверхности наращиваемого слоя. Применение в микроэлектронике и оптоэлектронных устройствах гетероэпитаксиальных структур позволяет создавать сложнейшие многослойные эпитаксиальные композиции с заданными параметрами.

Создание приборов на основе поликристаллических и аморфных материалов было обусловлено необходимостью снижения стоимости полупроводниковых преобразователей солнечной энергии (солнечных батарей) наземного применения. Однако исследования электронных процессов на границах отдельных кристаллитов и возможностей активного управления ими показали возможности применения таких материалов (см. Поликристаллические полупроводники (см. ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ), Аморфные и стеклообразные полупроводники (см. АМОРФНЫЕ И СТЕКЛООБРАЗНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ)).

Материалы проявляют полупроводниковые свойства не только в твердом состоянии. Вещества, обладающие в жидком состоянии свойствами полупроводников, были открыты А. Ф. Иоффе (см. ИОФФЕ Абрам Федорович) и А. Р. Регелем. В отличие от электролитов жидкие полупроводники имеют электронный тип проводимости и как и жидкие металлы являются электронными расплавами. Жидкие полупроводники являются неупорядоченными системами, в них отсутствует дальний порядок (см. ДАЛЬНИЙ ПОРЯДОК И БЛИЖНИЙ ПОРЯДОК). Жидкие полупроводники образуются при плавлении кристаллических ковалентных полупроводников, если сохраняются ковалентные межатомные связи (Se, A^IIB^IV).

Составить слова из слова полупроводниковые материалы